掺杂透明导电薄膜的制备与特性分析.docx

中文摘要摘 中文摘要 摘 要 ZnO薄膜是一种II．VI族直接宽带隙半导体材料，具有资源丰富、无毒性、在 等离子体中稳定等优点，被认为是最有希望取代广泛使用的、稀有而昂贵的锡掺 杂氧化铟(ITO)的透明导电膜，在太阳能电池、液晶显示器、发光器件、气敏传感 器等光电产业领域具有广阔的应用前景，近年来已引起了国内外的广泛关注。但 本征ZnO的导电性能较差，为提高其导电性能和稳定性，常用舢、hl、Ga等III 族元素掺杂，其中研究较成熟的是Al掺杂ZnO。与Al掺杂ZnO薄膜相比，Ga 掺杂ZnO(ZnO：Ga)薄膜具有抗氧化性更强、晶格变形更小等特点，目前，ZnO：Ga 薄膜的研究报道相对较少，有必要对其进行系统的研究，为其在光电器件等方面 的应用奠定基础。 本论文利用射频磁控溅射法在玻璃和石英衬底上制备了ZnO：Ga薄膜；用 XRD、SEM、XPS、Hall测试和紫外．可见．红外分光光度计等测试手段对沉积的薄 膜进行了表征和分析；研究了ZnO：Ga薄膜的结构、形貌、成分、导电、透光、热 电和N02气敏特性，计算了薄膜的光学常数，并研究了光致发光性质。得到的主 要结果如下： ①所制备的ZnO：Ga薄膜为多晶纤锌矿结构。薄膜表面平整、致密，具有c 轴择优取向。提高衬底温度、减小溅射压强、增加膜厚、提高溅射功率，在空气 和氮气中退火有利于提高薄膜结晶度，掺杂浓度为3at．％的薄膜的结晶度最