光电子器件_第二章结型光电探测器.pptxVIP

第2章 结型光电探测器;2.1、光伏效应;光照零偏pn结产生开路电压的效应;2.2. 硅光电池 ; 1.用途 a. 作光电探测器使用 红外辐射探测器 光电读出 光电耦合 b. 作为电源使用 人造卫星 野外灯塔 微波站 ;§2.2 光电池;;;1. 硅光电池的基本结构和工作原理;2. 硅光电池工作原理 ; 从曲线可以看出，负载电阻RL所获得的功率为 PL=ILU （3-17） 其中，光电池输出电流IL应包括光生电流IP、扩散电流与暗电流等三部分，即 ; －－光电池的输出短路电流;0.6;0.6;相对灵敏度/％;硒光电池;4.光电池的光电转换效率 ;2.3 光电二极管;外形;光电二极管的伏安特性;国产硅光电二极管按衬底材料的导电类型不同，分为2CU和2DU两种系列。 2CU系列以N-Si为衬底， 2DU系列以P-Si为衬底 2CU系列光电二极管只有两个引出线， 而2DU系列光电二极管有三条引出线，除了前极、后极外，还设了一个环极。 硅光电二极管结构示意图 2DU管加环极的目的是为了减少暗电 流和噪声。;;;;;;;;;;2.4 其他类型的光生伏特器件 ; ; 入射光照射在P层上，由于 P层很薄，大量的光被较厚的I层 吸收，激发较多的载流子形成光 电流；又PIN结光电二极管比PN结 光电二极管施加较高的反偏置电压， 使其耗尽层加宽。当P型和N型半导 体结合后，在交界处形成电子和空 穴的浓度差别，因此，N区的电子要 向P区扩散，P区空穴向N区扩散。 P区一边失去空穴，留下带负电的杂质离子，N区一边失去电子，留下带正电的杂质离子，在PN交界面形成空间电荷，即在交界处形成了很薄的空间电荷区，在该区域中，多数载流子已扩散到对方而复合掉，即消耗尽了，耗尽层的电阻率很高。扩散越强，耗尽层越宽，PN结内电场越强，加速了光电子的定向运动，大大减小了漂移时间，因而提高了响应速度。PIN结光电二极管仍然具有一般PN结光???二极管的线性特性;最大特点：频带宽，可达10GHz。另一个特点是，因为I层很厚，在反偏压下运用可承受较高的反向电压，线性输出范围宽。由耗尽层宽度与外加电压的关系可知，增加反向偏压会使耗尽层宽度增加，从而结电容要进一步减小，使频带宽度变宽。 不足：I层电阻很大，管子的输出电流小，一般多为零点几微安至数微安。目前有将PIN管与前置运算放大器集成在同一硅片上并封装于一个管壳内的商品出售。 ; PIN管;; 雪崩光电二极管; 当电压等于反向击穿电压时，电流增益可达106，即产生所谓的自持雪崩。 这种管子响应速度特别快，带宽可达100GHz，是目前响应速度最快的一种光电二极管。 噪声大是这种管子目前的一个主要缺点。 由于雪崩反应是随机的，所以它的噪声较大，特别是工作电压接近或等于反向击穿电压时，噪声可增大到放大器的噪声水平，以至无法使用。 ;;;雪崩式光电二极管（APD）;雪崩光敏二级管（APD）;2.工作原理 ; 雪崩倍增系数M与碰撞电离率有密切的关系。碰撞电离率表示一个载流子在电场作用下，漂移单位距离所产生的电子—空穴对数目。实际上电子电离率α和空穴电离率α 是不完全一样的，它们都与电场强度有密切关系。由实验确定，电离率与电场强度E可以近似的写成以下关系 ; 在强电场作用下，当通过耗尽区的每个载流子平均能产生一对电子—空穴时，就发生雪崩击穿现象。当M—∞时，PN结上所加的反向偏压就是雪崩击穿电压UBR。 ;3.噪声 ;特点 雪崩光电二极管是利用PN结在高反向电压下产生的雪崩效应来工作的一种二极管。 这种管子工作电压很高，约100～200V，接近于反向击穿电压。结区内电场极强，光生电子在这种强电场中