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会东电子科技学校年秋季学期期末考试 电子技术基础（闭卷）卷 出题人：王大雄 班级：级机电、计算机就业班 分值：分 考试时间：分钟 一、判断题（每小题分，共分） 。 、硅和锗是制作半导体器件的主要材料。 （ ） 、二极管导通时，电流是从其负极流出，从正极流入。 （ ） 、二极管的反向漏电流越小，其单向导电性能就越好。 （ ） 、二极管两端加上电压就能导通。 （ ） 、整流输出电压加电容滤波后， 电压脉动减小了， 输出电压也下降了。 （ ） 、三极管的主要性能是具有电流和电压的放大作用。 （ ） 、稳压二极管正常工作时，其工作在伏安特性的反向击穿区。 （ ） 、滤波电路采用电容滤波时不需要考虑极性。 （ ） 、功率放大电路采用单电源供电。 （ ） 、将放大电路输出信号的一部分或全部返送回输入端并与输入信号叠 加的过程称为反馈。（ ） 二、填空题 （每空分，共分） 、二极管的主要特性是具有 。 、锗二极管死区电压是 ，硅二极管死区电压是 。 、 半 波 整 流 与 桥 式 整 流 相 比 ， 输 出 电 压 脉 动 成 分 较 小 的 是 。 、差动放大电路会主要用于解决直接耦合放大器的 问题。 、三极管具有三个电极： 、 、 ；三个区 是 区， 区， 区。 1 / 4 、反馈放大电路由 和 两部分电路组成。 、直流稳压电源由电源变压器、 、 和稳压电路组成。 三、选择题（每题分，共分） 。 、二极管内部由（ ）所构成。 、两个结 、一个结 、两块型半导体 、两块型半导体 、三极管由（ ）个结构成。 、 、 、 、 、如果用万用表测得二极管的正反向电阻都很大，则二极管（ ）。 、特性良好 、已被击穿 、内部开路 、功能正常 、在放大电路中，发射极共用的电路叫做（ ）电路。 、共集 、共射 、共基 、放大 、二极管两端加上正向电压时（ ）。 、超过死区电压就导通 、立即导通 、超过击穿电压就导通 、超过就导通 、在下面电路中（ ）图的小指示灯不会亮。 2 / 4 、下列表达式正确的是（ ）。 、 、 、 、以上都不对 、声光控开关应用了半导体的（ ）。 、掺杂性 、光敏性 、热敏性 、导电性 、处于放大状态时，加在硅材料三极管的发射结正偏电压为（ ）。 、 、 、 、 、下列器件中，（ ）可将电信号转变成光信号。 、二极管 、三极管 、发光二极管 、光电二极管 四、计算题 （分）。 、求下图所示的放大电路的静态工作点（、 、）。 公式如下： Vcc Rb β － 3 / 4 五、综合题（分）。 、写出下图中各元件的名称和作用。 （分） 、判断下面各三极管工作在什么状态（放大、饱和、截止） 。（分） 、 画出下图中的直流通路和交流通路。 （分） 4 / 4