半导体物理学(第7版)第五章习题及答案.docxVIP

精品文档 第五章习题 在一个 n 型半导体样品中，过剩空穴浓度为 1013cm-3, 空穴的寿命为 100us。计算空穴的复合率。 已知： p 1013 / cm 3 , 100 s 求： U ？ 解：根据 p U 得： U p1013 17 3 s 100 10 6 10 / cm 2. 用强光照射 n 型样品，假定光被均匀地吸收，产生过剩载流子，产生率为 , 空穴寿命为 。（1）写出光照下过剩载流子所满足的方程； （2）求出光照下达到稳定状态时的过载流子浓度。 解：均匀吸收，无浓度 梯度，无飘移。 d p p g L dt t 方程的通解： p(t ) Ae g L (2)达到稳定状态时， d p 0 dt p g L 0. p g 3. 有一块 n 型硅样品，寿命是 1us，无光照时电阻率是 10 cm。今用光照射该样品，光被半导体均匀 的吸收，电子 - 空穴对的产生率是 22-3 s-1 , 试计算光照下样品的电阻率， 并求电导中少数在流子的贡 10 cm 献占多大比例？ 光照达到稳定态后 . p gL 0 p n g 10 22 10 6 1016 cm 3 光照前 : 0 1 10 cm n0 q p0 q n p 光照后 : np n pq n0 q n p0 q pnq npq p p 0.10 1016 1.6 10 19 1350 10 16 1.6 10 19 500 0.1 2.96 3.06s/ cm 1 0.32 cm. 少数载流子对电导的贡 献 p0 .所以少子对电导的贡献 , 主要是 p的贡献 . p9u p 1016 1.6 10 19 500 0.8 26% 1 3.06 3.06 欢迎下载 。 精品文档 一块半导体材料的寿命 =10us，光照在材料中会产生非平衡载流子，试求光照突然停止 20us 后，其中非平衡载流子将衰减到原来的百分之几？ t p(t) p( 0)e 20 p(20) e 10 13.5% p(0) 光照停止 20 s后，减为原来的 13.5%。 5. n 型硅中，掺杂浓度 16 -3 光注入的非平衡载流子浓度 14-3 。计算无光照和有光照的 ND=10 cm , n= p=10 cm 电导率。 设T 300K , ni 1.5 1010 cm 3 . n p 1014 / cm3 则n0 1016 cm 3 , p0 2.25 104 / cm3 n n0 n, p p0 p 无光照 : 0 n0q n p0 qu p n0 q n 1016 1.6 10 19 1350 2.16s / cm 有光照 : nq n pq p n0 q n p0 q p nq( n p ) 2.16 1014 1.6 10 19 (1350 500) 2.16 0.0296 2.19 s/ cm (注：掺杂 1016 cm 13的半导体中电子、 空穴的迁移率近似等于 本征 半导体的迁移率） 画出 p 型半导体在光照（小注入）前后的能带图，标出原来的的费米能级和光照时的准费米能级。 。 2 欢迎下载 精品文档 Ec Ec Ei EFn Ei EF Ev Ev  EFp 光照前 光照后 15 -3 的 n 型硅，由于光的照射产生了非平衡载流子 14-3 。试计算这种情况 7. 掺施主浓度 ND=10 cm n= p=10 cm 下的准费米能级位置，并和原来的费米能级作比较。 强电离情况，载流子浓 度 E E k Tln n 15 14 Fn i n n0 n 10 10 0 ni p 1.1 1015 / cm3 1014 E Fn Ei k 0Tln 1.1 1015 0.291eV 2 N D E E k Tln P (1.5 10 2 14 14 FP i 0 10 ) 3 Pi 10 10 / cm 15 10 1014 n ni e EFnEi E FP E i k 0 Tln 0.229eV 1010 ko T 1.5 p ni e Ei EFP 平衡时E F E i k o Tln N D k0T n i k 0Tln 1014 0.289eV 1.5 1010 E nF EF 0.0025eV F EPF 0.0517eV 在一块 p 型半导体中，有一种复合 - 产生中心，小注入时，被这些中心俘获的电子发射回导带的过 程和它与空穴复合的过程具有相同的概率。试求这种复合 - 产生中心的能级位置，并说明它能否成为有效的复合中心？ 。 3 欢迎下载 精品文档 解：根据复合中心的间 接复合理论： 复合中心 N t .被电子占据 nt ,向导带发射电子 sn nt r nn1nt