半导体基础知识 教学PPT课件.ppt

第二节 半导体物理基础 ;导体、半导体和绝缘体;石英晶体结构和石英玻璃结构;单晶与多晶;;;;体心立方晶格结构金属 — 铁;Silicon;一、半导体的特性;T;无机半导体 晶体材料;;;孤立原子中的电子状态;电子的共有化运动:;能级--能带;禁带：允许被电子占据的能带称为允许带，允许带之间的范围是不允许电子占据的，此范围称为禁带。 价带：原子中最外层的电子称为价电子，与价电子能级相对应的能带称为价带。 导带：价带以上能量最低的允许带称为导带。 导带的底能级表示为Ec，价带的顶能级表示为Ev，Ec与Ev之间的能量间隔称为禁带Eg;允带;3、绝缘体、半导体、导体能带情况; 绝缘材料SiO2的Eg约为5.2eV，导带中电子极少，所以导电性不好，电阻率大于1012Ω·cm。 半导体Si的Eg约为1.1eV，导带中有一定数目的电子，从而有一定的导电性，电阻率为10-3～1012Ω·cm。 金属的导带与价带有一定程度的重合，Eg=0，价电子可以在金属中自由运动，所以导电性好，电阻率为10-6 ～ 10-3Ω·cm。;常温下： Si：Eg=1.12 eV Ge: Eg=0.67 eV GaAs: Eg =1.43 eV;4、半导体的导电机构;(1) 本征半导体 结构完整、纯净的半导体称为本征半导体。本征硅中，自由电子和空穴都是由于共价键破裂而产生的，所以电子浓度n等于空穴浓度p，并称之为本征载流子浓度ni，ni随温度升高而增加，随禁带宽度的增加而减小，室温下硅的ni约为1010/cm3。 ;(2) 杂质半导体 半导体中人为地掺入少量杂质形成杂质半导体，杂质对半导体导电性能影响很大。在技术上通常用控制杂质含量（即掺杂）来控制半导体导电特性。 ;A、N型半导体 在四价原子硅（Si）晶体中掺入五价原子，例如磷（P）或砷（As），形成N型半导体。在晶格中某个硅原子被磷原子所替代，五价原子用四个价电子与周围的四价原子形成共价键，而多余一个电子，此多余电子受原子束缚力要比共价键上电子所受束缚力小得多，容易被五价原子释放，游离跃迁到导带上形成自由电子。 ;易释放电子的原子称为施主，施主束缚电子的能量状态称为施主能级ED。ED位于禁带中，较靠近材料的导带底。 ED与Ec间的能量差称为施主电离能。 N型半导体由施主控制材料导电性。 电导率的高低与掺入施主杂质的浓度成正比。;B、P型半导体 在四价原子硅（Si）晶体中掺入三价原子，例如硼（B），形成P型半导体。晶体中某个硅原子被硼原子所替代，硼原子的三个价电子和周围的硅原子中四个价电子要组成共价键，形成八个电子的稳定结构，缺一个电子。于是很容易从硅晶体中获取一个电子形成稳定结构，使硼原子外层多了一个电子变成负离子，而在硅晶体中出现空穴。 ;容易获取电子的原子称为受主。受主获取电子的能量状态称为受主能级EA EA与Ev间能量差称为受主电离能。P型半导体由受主控制材料导电性。 ;C、 N型半导体与P型半导体的比较 ;(3) 掺杂对半导体导电性能的影响 ;三、热平衡状态和热平衡载流子;Ec;2、热平衡载流子浓度;—费米分布函数;;T=0K;例：量子态的能量 E 比 EF 高或低 5kT （0.13eV);EF 的意义:;EF 的位置;四、非平衡载流子;产生与复合;在光照过程中，产生与复合同时存在，在恒定持续光照下产生率保持在高水平，同时复合率也随非平衡载流子的增加而增加，直至二者相等，系统达到新的平衡。当光照停止，光致产生率为零，系统稳定态遭到破坏，复合率大于产生率，使非平衡载流子浓度逐渐减少，复合率随之下降，直至复合率等于热致的产生率时，非平衡载流子浓度将为零，系统恢复热平衡状态。 ;三种复合机制： 直接复合：导带中电子直接跳回到价带，与价带中的空穴复合。 复合中心复合：复合中心指禁带中杂质及缺陷。过程包括两步：电子由导带落入复合中心；再有复合中心落入价带中的空穴。 表面复合：材料表面在研磨、抛光时会出现许多缺陷与损伤，从而产生大量复合中心。发生于半导体表面的复合过程称为表面复合。 ;产生与复合 ;对于N型半导体 n0 ? p0 满足 ???? np ?n0p0＝ni2 ??????? n0 Δn＝Δp 条件的注入称为强光注入； 满足 ???? np n0p0＝ni2 ??????? n0 Δn＝Δp 条件的注入称为弱光注入。 ;非平衡载流子寿命