第五讲光刻工艺.pptVIP

第五讲 光刻技术（一）污染控制;;;;;;;;集成电路制造工艺; 光刻的定义光刻是一种图形复印和化学腐蚀相结合的精密表面加工技术。用照相复印的方法将掩模版上的图案转移到硅片表面的光刻胶上，以实现后续的有选择刻蚀或注入掺杂;;1. 掩膜板上形成图形 光刻把图形转移到光刻胶上， 刻蚀在晶圆上形成电路图形。 2 两次图形转移： 图形转移到光刻胶层 光刻胶层到晶圆层。;光刻的要求;1. 高分辨率 分辨率是将硅片上两个邻近的特征图形区分开来的能力，即对光刻工艺中可以达到的最小光刻图形尺寸的一种描述，是光刻精度和清晰度的标志之一。 随着集成电路的集成度提高，加工的线条越来越细，对分辨率的要求也越来越高。 通常以每毫米内能刻蚀出可分辨的最多线条数目来表示。;图形转换：光刻;2.高灵敏度 灵敏度是指光刻胶感光的速度。为了提高产量,要求光刻周期越短越好，这就要求曝光时间越短越好，也就要求高灵敏度。;4.大尺寸硅片的加工 提高了经济效益 但是要在大面积的晶圆上实现均匀的胶膜涂覆，均匀感光，均匀显影，比较困难 高温会引起晶圆的形变，需要对周围环境的温度控制要求十分严格，否则会影响光刻质量;正胶：曝光后可溶 负胶：曝光后不可溶;;图形转换：光刻;第五讲光刻工艺; 光学曝光的各种曝光方式及其利弊;先进的曝光技术;4.电子束曝光;1）曝光光源：X射线 2）掩膜版：黄金或其他能挡住X射线的材料 3）优点 波长应用范围0.5－2nm，分辨率高 焦深大，工艺宽容度大 4）一般原理 一种1：1的接近式光刻方法 机械装置对准，用X射线光源使含有对X线透明和不透明区的掩膜图形成像到涂有对X射线敏感的光刻胶的硅片表面，最终形成器件制作所需的图形。; 各种光源的比较;? 影响曝光质量的一些因素 1.光刻胶厚度的不均匀 ;;目前新技术;第五讲光刻工艺;浸没式光刻;浸没式实现方法;第五讲光刻工艺;安全;小结;图形转换：刻蚀技术;图形转换：刻蚀技术;图形转换：刻蚀技术;干法刻蚀;掺杂：扩散与离子注入;扩 散;杂质横向扩散示意图;固态源扩散：如B2O3、P2O5、BN等;利用液态源进行扩散的装置示意图;离子注入;离子注入系统的原理示意图;退 火;薄膜淀积;氧化工艺;氧化硅层的主要作用;SiO2的制备方法;进行干氧和湿氧氧化的氧化炉示意图;化学汽相淀积(CVD);化学汽相淀积(CVD);APCVD反应器的结构示意图; LPCVD反应器的结构示意图;平行板型PECVD反应器的结构示意图;化学汽相淀积(CVD);物理气相淀积(PVD);蒸发原理图