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数字逻辑设计习题解答第三章 作业情况 主要问题： 1. 基本概念理解不够清楚 2. 解答过程极其简略 问题比较多的题目 3.1 3.23 3.47 3.49 3.57 3.1 逻辑0 逻辑1以及不确定逻辑 HIGH ABNOMAL LOW 不确定逻辑 因此-0.6V,-2.0V是逻辑0 0V,0.7V是逻辑0 1.7V,2.5V,3.3V为逻辑1 1.6V为不确定逻辑 VDD = +5.0V VOUT VIN Tp Tn 方向器 不确定逻辑：电路可将其解释为逻辑0也可以解释为逻辑1 3.7 二输入CMOS与非门中晶体管的类型和个数 2个NMOS,2个PMOS VDD = +5.0V Z A B 3.9CMOS与非门和或非门哪个更快？ 对于给定的硅面积， CMOS与非门要比CMOS或非门速度要快。因为CMOS与非门中为两个PMOS并联，两个NMOS串联。而CMOS或非门中为两个NMOS并联， 两个PMOS串联， 又由于N 沟道的导通电阻比P沟道的导通电阻低， 综合可以得出对于给定的硅面积，CMOS与非门要比CMOS或非门速度要快。 VDD = +5.0V Z A B 与非门 或非门 3.16 CMOS反向门还是非反向门用的晶体管少？ CMOS反相器所用的晶体管数少，因为CMOS非反相器为2个CMOS反相器串联