数字集成电路存储单元.pptVIP

本章重点;1 引言;1.1 存储器分类;半导体存储器分类;1.2 存储器总体结构和单元模块;存储阵列;层次化的存储结构;Subglobal row decoder;CAM存储器;存储器时序;2 存储器内核;2.1 只读存储器;思考题12.1 MOS NOR ROM阵列 确定图12.10的ROM中存放在地址0、1、2和3处的数据值 注意：图中如何使电源线在相邻单元之间共享而减少了它们的用量;思考题12.2 MOS NOR ROM存储器阵列 确定图12.11的ROM中存放在地址0、1、2和3处的数据值 ;ROM存储器编程;单元的大部分面积用于位线接触和接地连接 解决方案：采用不??的存储器结构;NAND结构的主要优点;思考题12.3 NOR和NAND ROM的电压摆幅 假设图12.12和图12.14中的版图采用我们标准的0.25?m CMOS工艺实现， 确定PMOS上拉器件的尺寸使最坏情况下VOL?1.5V(VDD=2.5V)。这相当于字线摆幅为1V。确定8?8和512?512阵列的值 1. NOR ROM 因为每次最多只有一个晶体管可以导通，所以VOL的值与阵列尺寸无关，也与阵列编程无关。（VDD=2.5V,VoL=1.5v） 所要求的PMOS器件的尺寸(W/L)p=5.24 2. NAND ROM 由于是串联链， VOL的值与存储器尺寸(行数)及编程都有关 对于(8?