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真空蒸镀基础知识介绍 目 录 一 . 真空蒸镀原理 二 . 真空蒸镀方式 三 . 真空蒸镀设备 四 . 真空蒸镀工艺 一﹑真空蒸镀原理 1 ．料在真空状态下的蒸发特性 2 ．蒸气粒子的空间分布 3 ．凝结﹐生长过程 1 ． 料在真空狀態下的蒸發特性 真空蒸镀是将工件放入真空室﹐并用 一定的方法加热﹐使镀膜材料 ( 简称膜 料 ) 蒸发或升华﹐飞至工件表面凝聚成 膜。 膜料的蒸发温度最终要根据膜料的熔 点和饱和蒸气压等参数定。表 1-1 和表 1-2 分别列出了部分元素和化合物的熔 点以及饱和蒸气压为 1.33Pa 时相应的 蒸发温度。 更多文章 表 1-1 部分元素的蒸發特性 ( 飽和蒸氣壓為 1.33Pa) 蒸 發 源 材 料 絲 ﹐ 片 坩 堝 A g 9 6 1 1 0 3 0 Ta, M o , W M o , C A l 6 5 9 1 2 2 0 W BN , TiC/C, TiB 2 - BN A u 1 0 6 3 1 4 0 0 W , M o M o , C C r 1 9 0 0 1 4 0 0 W C C u 1 0 8 4 1 2 6 0 M o , Ta, N b , W M o , C, A l 2 O 3 F e 1 5 3 6 1 4 8 0 W BeO , A l 2 O 3 , Zr O 2 M g 6 5 0 4 4 0 W , Ta, M o , N i, F e F e, C, A l 2 O 3 N i 1 4 5 0 1 5 3 0 W A l 2 O 3 , BeO Ti 1 7 0 0 1 7 5 0 W , Ta C, Th O 2 P d 1 5 5 0 1 4 6 0 W ( 鍍 A l 2 O 3 ) A l 2 O 3 Zn 4 2 0 3 4 5 W , Ta, M o A l 2 O 3 , F e, C, M o P t 1 7 7 0 2 1 0 0 W Th O 2 , Zr O 2 Te 4 5 0 3 7 5 W , Ta, M o M o , Ta, C, A l 2 O 3 R h 1 9 6 6 2 0 4 0 W Th O 2 , Zr O 2 Y 1 4 7 7 1 6 4 9 W A l 2 O 3 , BN , 金 屬 S b 6 3 0 5 3 0 鉻 鎳 合 金 ﹐ Ta, N i I n 1 5 6 9 5 0 W ﹐ M o, F e W ﹐ M o, Al 2 O 3 , C S e 2 1 4 2 4 0 M o , F e , 鉻 鎳 合 金 金 屬 ﹐ A l 2 O 3 S i 1 4 1 0 1 3 5 0 Be, Zr O 2 , C, Th O 2 S n 2 3 2 1 2 5 0 W ﹐ M o , Ta A l 2 O 3 , C 元 素 熔 點 /℃ 蒸 發 溫 度 /℃ 表 1-2 部分化合物的蒸發特性 ( 飽和蒸氣壓為 1.33Pa) 化合物 熔點/℃ 蒸發溫度/℃ 蒸發源材料 觀察到的蒸發種 Al 2 O 3 2030 1800 W﹑Mo Al﹑O﹑AlO﹑O﹑O 2 ﹑(AlO) 2 Bi2O3 817 1840 Pt CeO 1950 W CeO﹑CeO 2 MoO3 795 610 Mo﹑Pt (MoO 3 ) 3 ﹑(MoO 3 ) 4 . 5 NiO 2090 1586 Al2O3 Ni﹑O2﹑NiO﹑O SiO 1025 Ta﹑Mo SiO SiO2 1730 1250 Al2O3﹑Ta﹑Mo SiO﹑O2 TiO2 1840 TiO﹑Ti﹑TiO2﹑O2 WO3 1473 1140 Pt﹑W (WO3)3﹑WO3 ZnS 1830 1000 Mo﹑Ta MgF2 1263 1130 Pt﹑Mo MgF2﹑(MgF2)2﹑(MgF2)3 2 ．蒸氣粒子的空間分布 蒸氣粒子的空間分布顯著地影響了蒸發粒子在基體 上的沉積速率以及基體上的膜厚分布。這與蒸發源的形狀 和尺寸有關。最簡單的理想蒸發源有點和小平面兩種類型 。在點源的情況下﹐以源為中心的球面上膜厚均相同﹐所 以工件放在球面上就可得到膜厚相同的鍍