直流电机变速设计.docxVIP

。 基于场效应管的直流电机驱动控制电路设计 游志宇，杜杨，张洪，董秀成 (1．西华大学 电气信息学院，四川 成都 610039 ； 2．中国科学院光电技术研究所，四川 成都 610209) 引言 长期以来，直流电机以其良好的线性特性、 优异的控制性能等特点成为大多数变 速运动控制和闭环位置伺服控制系统的最佳选择。特别随着计算机在控制领域， 高开关频率、全控型第二代电力半导体器件 (GTR、 GTO、 MOSFET 、IGBT 等 ) 的发展，以及脉宽调制 (PWM) 直流调速技术的应用，直流电机得到广泛应用。 为适应小型直流电机的使用需求， 各半导体厂商推出了直流电机控制专用集成电 路，构成基于微处理器控制的直流电机伺服系统。 但是，专用集成电路构成的直 流电机驱动器的输出功率有限，不适合大功率直流电机驱动需求。因此采用 N 沟道增强型场效应管构建 H 桥，实现大功率直流电机驱动控制。该驱动电路能 够满足各种类型直流电机需求，并具有快速、精确、高效、低功耗等特点，可直 接与微处理器接口，可应用 PWM 技术实现直流电机调速控制。 直流电机驱动控制电路总体结构 直流电机驱动控制电路分为光电隔离电路、 电机驱动逻辑电路、 驱动信号放大电 路、电荷泵电路、 H 桥功率驱动电路等四部分，其电路框图如图 1 所示。 -可编辑修改 - 。 由图可以看出， 电机驱动控制电路的外围接口简单。 其主要控制信号有电机运转 方向信号 Dir 电机调速信号 PWM 及电机制动信号 Brake ，Vcc 为驱动逻辑电路 部分提供电源， Vm 为电机电源电压， M+ 、M- 为直流电机接口。 在大功率驱动系统中， 将驱动回路与控制回路电气隔离， 减少驱动控制电路对外 部控制电路的干扰。 隔离后的控制信号经电机驱动逻辑电路产生电机逻辑控制信 号，分别控制 H 桥的上下臂。由于 H 桥由大功率 N 沟道增强型场效应管构成， 不能由电机逻辑控制信号直接驱动， 必须经驱动信号放大电路和电荷泵电路对控 制信号进行放大，然后驱动 H 桥功率驱动电路来驱动直流电机。 3 H 桥功率驱动原理 直流电机驱动使用最广泛的就是 H 型全桥式电路，这种驱动电路方便地实现直 流电机的四象限运行，分别对应正转、正转制动、反转、反转制动。 H 桥功率驱 动原理图如图 2 所示。 H 型全桥式驱动电路的 4 只开关管都工作在斩波状态。 S1、S2 为一组， S3 、S4 为一组，这两组状态互补， 当一组导通时， 另一组必须关断。 当 S1、S2 导通时， -可编辑修改 - 。 S3、S4 关断，电机两端加正向电压实现电机的正转或反转制动；当 S3、S4 导 通时， S1、S2 关断，电机两端为反向电压，电机反转或正转制动。 实际控制中，需要不断地使电机在四个象限之间切换， 即在正转和反转之间切换， 也就是在 S1、 S2 导通且 S3、 S4 关断到 S1、 S2 关断且 S3、 S4 导通这两种状 态间转换。这种情况理论上要求两组控制信号完全互补， 但是由于实际的开关器 件都存在导通和关断时间， 绝对的互补控制逻辑会导致上下桥臂直通短路。 为了 避免直通短路且保证各个开关管动作的协同性和同步性， 两组控制信号理论上要 求互为倒相，而实际必须相差一个足够长的死区时间， 这个校正过程既可通过硬 件实现，即在上下桥臂的两组控制信号之间增加延时，也可通过软件实现。 2 中 4 只开关管为续流二极管，可为线圈绕组提供续流回路。当电机正常运 行时，驱动电流通过主开关管流过电机。 当电机处于制动状态时， 电机工作在发电状态，转子电流必须通过续流二极管流通， 否则电机就会发热， 严重时甚至烧毁。 直流电机驱动控制电路设计 -可编辑修改 - 。 由直流电机驱动控制电路框图可以看出驱动控制电路结构简单， 主要由四部分电 路构成，其中光电隔离电路较简单， 在此不再介绍， 下面对直流电机驱动控制电 路的其他部分进行详细介绍。 4.1 H 桥驱动电路设计 在直流电机控制中常用 H 桥电路作为驱动器的功率驱动电路。由于功率 MOSFET 是压控元件，具有输入阻抗大、开关速度快、无二次击穿现象等特点， 满足高速开关动作需求，因此常用功率 MOSFET 构成 H 桥电路的桥臂。 H 桥电 路中的 4 个功率 MOSFET 分别采用 N 沟道型和 P 沟道型，而 P 沟道功率 MOSFET 一般不用于下桥臂驱动电机，这样就有两种可行方案：一种是上下桥臂分别用 2 个 P 沟道功率 MOSFET 和 2 个 N 沟道功率 MOSFET ；另一种是上下桥臂均用 N 沟道功率 MOSFET 。 相对来说，利用 2 个 N 沟道功率 MOSFET 和 2 个 P 沟道功率 MOSFET 驱动电 机的方案