模拟电子技术基础知识点总结(20200711181725).docx

模拟电子技术复习资料总结 第一章 半导体二极管 一 .半导体的基础知识 1. 半导体 --- 导电能力介于导体和绝缘体之间的物质 (如硅 Si 、锗 Ge) 。 特性 --- 光敏、热敏和掺杂特性。 本征半导体 ---- 纯净的具有单晶体结构的半导体。 两种载流子 ---- 带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 杂质半导体 ---- 在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P 型半导体 : 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子） 。 *N 型半导体 : 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴） 。 杂质半导体的特性 载流子的浓度 --- 多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 体电阻 --- 通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 转型 --- 通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 PN 结 * PN 结的接触电位差 --- 硅材料约为 0.6~0.8V ，锗材料约为 0.2~0.3V 。 PN 结的单向导电性 --- 正偏导通，反偏截止。 PN 结的伏安特性 . 半导体二极管 单向导电性 ------ 正向导通，反向截止。 二极管伏安特性 ---- 同ＰＮ结。 * 正向导通压降 ------ 硅管 0.6~0.7V ，锗管 0.2~0.3V 。 * 死区电压 ------ 硅管 0.5V ，锗管 0.1V 。 3. 分析方法 ------ 将二极管断开，分析二极管两端电位的高低 : 若 V 阳 >V 阴 ( 正偏 )，二极管导通 (短路 ); 若 V 阳 <V 阴 ( 反偏 )，二极管截止 (开路 )。 1）图解分析法 该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点 Q 。 等效电路法 ? 直流等效电路法 * 总的解题手段 若 V 阳 若 V 阳 * 三种模型  ---- 将二极管断开，分析二极管两端电位的高低 >V 阴 ( 正偏 ) ，二极管导通 ( 短路 ); <V 阴 ( 反偏 ) ，二极管截止 ( 开路 )。  : 微变等效电路法 三 . 稳压二极管及其稳压电路 * 稳压二极管的特性 --- 正常工作时处在 PN 结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。 第二章§ 2-1 三极管及其基本放大电路 一 . 三极管的结构、类型及特点 类型 --- 分为 NPN 和 PNP 两种。 特点 --- 基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触 面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。 二 . 三极管的工作原理 三极管的三种基本组态 三极管内各极电流的分配 * 共发射极电流放大系数 (表明三极管是电流控制器件 式子 称为穿透电流。 共射电路的特性曲线 输入特性曲线 --- 同二极管。 输出特性曲线 ( 饱和管压降，用 U CES 表示 放大区 --- 发射结正偏，集电结反偏。 截止区 --- 发射结反偏，集电结反偏。 温度影响 温度升高，输入特性曲线向左移动。 温度升高 I CBO 、 I CEO 、 I C 以及 β均增加。 三 . 低频小信号等效模型（简化） h ie --- 输出端交流短路时的输入电阻， 常用 rbe 表示； h fe--- 输出端交流短路时的正向电流传输比， 常用 β表示； 四 . 基本放大电路组成及其原则 1. VT 、 VCC 、 R b 、 Rc 、 C1、 C2 的作用。 组成原则 ---- 能放大、不失真、能传输。五 . 放大电路的图解分析法 直流通路与静态分析 概念 --- 直流电流通的回路。 画法 --- 电容视为开路。