压电元件导纳圆的测量.docxVIP

. 清 华 大 学 实 验 报 告 系别： 班号： 姓名： （同组姓名： ） 做实验日期： 2005 年 月 日 教师评定： 实验名称：压电元件导纳圆的测量 [ 实验目的 ] 1、 测量压电元件的导纳，即测量阻抗，可提供该元件与所在电路之间的 阻抗匹配数据； 2、 通过测量压电元件或压电换能器的导纳圆可以得到其发射效率； 3、 学习利用示波器测量交流阻抗的方法 [ 实验原理 ] 一、压电效应和压电元件 对某些电介质晶体施加机械应力时，晶体因内部正负电荷中心发生相 对位移而产生极化，导致晶体两端面上出现符号相反的束缚电荷，其电荷 密度与应力成正比。这种没有电场作用，由机械应力的作用而使电介质晶 体产生极化并形成晶体表面电荷的现象称为压电效应。当机械应力由压应 力变成拉应力时，电荷符号也改变。 与以上情况相反，将具有压电效应的电介质晶体置于电场中，电场的 . . 作用引起电介质内部正负电荷中心产生相对位移，而这一位移又导致介质 晶体发生形变，晶体的这种由外加电场产生形变的现象称为逆压电效应。 晶体形变的大小与外加电场强度成正比， 当电场反向时， 形变也改变符号。 凡具有压电效应的晶体成为压电晶体。现代技术中，常用压电陶瓷制 成压电元件，它具有很强的压电性能。 二、压电元件的等效电路 图 3.14.1 所示为压电元件振动时的等效电路。电路总导纳为： R1 (wL 1 1 ) 2 Y j wC 0 wC1 （ 3.14.6 ） 1 ) 2 1 ) 2 R12 (wL 1 R12 ( wL 1 wC1 wC1 动态导纳 y1 和总导纳 Y 随频率变化情况 如下： 1 2 1 2 g1 b12 （ 3.14.8 ） 2R1 2R1 取横座标表示电导 g ，纵坐标表示电 纳 jb ，则 U 的频率改变时，上式代表一个圆，称为导纳圆。如图 3.14.2 ： 此时有 图 3.14.1 wL 1 1 0 wC 1 . . s 1/ L1C1 。 由导纳圆还可得到 R1 , L1 ,C1 , Qm 。 图 3.14.2 三、测量电路及测量仪器 测量线路如图 3.14.3 。 E 为函数信号发生器， P 为被测压电元件， R 为无感电阻 （一般用金属膜或碳膜电阻） ，取值尽量小一些。 用示波器测得 U ，U 1，及 U 与 U 1 之间的相位差φ， 即可求得压电元件的总阻抗或总导纳。 总导纳 Y g jb 1 U 1 总导纳 Y 的模 |Y | UR U 总电导 g |Y | cos U 1 2 UR cos T 总电纳 b |Y | sin U 1 sin 2 UR T  3.14.13 ） 在压电元件的某一共振频率附近改变信号频率，测得若干组 g 、 b ， 即可得到测量的导纳圆。 由于测量时，电路中加入了采样小电阻 R，于是图 3.14.1 压电元件的 等效电路参量可替换为 L1 、 C1 、（ R+R 1 ）和 C0 /(1 R ) ，因此公式 R1 （ 3.14.9 ）、式（ 3.14.10 ）和 C0 将修正为 . . R1 R 1/ D（ 3.14.14 ） R R1 ） L1 （3.14.15 2 1 C0 AC (1 R ) ，而 C1 和 O m 形式不 s R1 变。 四、补充内容：用示波器研究互感耦合 电路的特性 如图 3.13.1 所示的互感电路中，原边线 圈（自感为 L 1 ，线圈电阻为 R1 ）和副边线圈（自感为 L 2）之间通过互感 M 联系在一起组成耦合电路， 副边回路的电阻为 R2 ，它是线圈导线电阻和 外 接 电 阻 之 和 。 原 、 副 边 回 路 的 微 分 方 程 如 下 ： 3.13.1 设原边电流为 i1 I 1m sin t ，I1m 为 i 1 的峰值， i 1 可由测 R 上的电压 得出。从微分方程组求 u 1 的稳态解可得： u1 (R1 R1 )I 1m sin t ( L1 L1 )I 1m cos t （ 3.13.1 ） 式中 R1 M 2 2 R2 , L1 M 2 2 L2 （ 3.13.2 ） 2 2 2 2 2 2 R2 L 2 R2 L2 从以上两式可见，副边回路对原边的影响可等效为原边电阻增加 R1，同时电感减少 L1，原边等效电路见图 3.13.1 。当 R2 = ∞，即副边开 . . 路时， R1 和 L1 均为 0 ；当ω一定，且 R2 = ωL2 时， R1 达极大值 R1max M 2 （ 3.13.3 ） 2L2 [实验内容 ] 1、 熟悉函数信号发生器面板上各旋钮的功能。将信号输出直接接至示波 器，用示波器观察不同频率、不同幅度、不同波形的信号。 2、在压电元件的某一共振频率附近，缓慢改变信号