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双极型三极管 双极型三极管 3.1.1 半导体三极管的结构 　　双极型半导体三极管的结构示意图如图所示。它有两 种类型:NPN型 PNP 型。 　　 　　双极型三极管的符号在图的下方给出，发射极的箭头代 表发射极电流的实际方向。从外表上看两个 N 区,(或两个 P 区)是对称的，实际上发射区的掺杂浓度大，集电区掺杂浓度 低，且集电结面积大。基区要制造得很薄，其厚度一般在几 个微米至几十个微米。 3.1.2 三极管内部的电流分配与控制　 　　双极型半导体三极管在工作时一定要加上适当的直 流偏置电压。若在放大工作状态：发射结加正向电压，集电 结加反向电压，如图所示。 　　　　　　　　 　　在发射结正偏，集电结反偏条件下，三极管中载流子的 运动： (1)在 VBB 作用下，发射区向基区注入电子形成 IEN， 基区空穴向发射区扩散形成 IEP。(2)电子在基区复合和扩散， 由发射区注入基区的电子继续向集电结扩散，扩散过程中少 部分电子与基区空穴复合形成电流 IBN。由于基区薄且浓度 低，所以 IBN 较小。(3) 集电结收集电子，由于集电结反偏， 所以基区中扩散到集电结边缘的电子在电场作用下漂移过集 电结，到达集电区，形成电流 ICN。(4) 集电极的反向电流， 集电结收集到的电子包括两部分：发射区扩散到基区的电子 ——ICN，基区的少数载流子——ICBO 　　　　　　 动画 　　IE=IEN+IEP 且有 IENIEP 　　IEN=ICN+IBN 且有 IEN IBN ，ICNIBN 　　IC=ICN+ICBO　　IB=IEP+IBN－ICBO　　IE=IC+IB 3.1.3 三极管各电极的电流关系 　 (1)三种组态 　　双极型三极管有三个电极，其中两个可以作为输入, 两 个可以作为输出，这样必然有一个电极是公共电极。三种接 法也称三种组态，见下图　　 　　 　　共发射极接法，发射极作为公共电极，用 CE 表示； 　　共集电极接法，集电极作为公共电极，用 CC 表示； 　　共基极接法，基极作为公共电极，用 CB 表示。 　 (2)三极管的电流放大系数 　　对于集电极电流 IC 和发射极电流 IE 之间的关系可以用 系数来说明，定义: 　　　　　　　　　　　　　 　　称为共基极直流电流放大系数。它表示最后达到集电极 的电子电流 ICN 与总发射极电流 IE 的比值。ICN 与 IE 相比， 因 ICN 中没有 IEP IBN，所以的值小于 1,但接近 1，一般 为 0.98~0.999 。由此可得: 　　 　　 　　在忽略 ICBO 情况下， IC 、 IE IB 之间的关系可近似 表示为： 　　 3.1.4 三极管的共射极特性曲线 　　 　　信号表示 　　信号表示（对 IC 、VBE 、VCE 等意义相同）：IB 表示 直流量／Ib 表示交流有效值／Ib 表示复数量／iB 表示交直 流混合量／ib 表示交流变化量 　1. 输入特性曲线 　　 　　 (1) VCE=0时：b、e 间加正向电压， JC JE 都正偏， JC 没有吸引电子的能力。所以其特性相当于两个二极管并联 PN 结的特性。VCE=0V： 两个 PN 结并联 　　 (2) VCE1V时，b、e 间加正向电压，这时 JE 正偏， JC 反偏。发射区注入到基区的载流子绝大部分被 JC 收集，只有 小部分与基区多子形成电流 IB。所以在相同的VBE 下，IB 要 比VCE=0V 时小。VCE1V： iB 比VCE=0V 时小 　　 (3) VCE介于 0~1V 之间时，JC 反偏不够，吸引电子的能 力不够强。随着 VCE 的增加，吸引电子的能力逐渐增强，iB 逐渐减小，曲线向右移动。0VCE1V: VCE 增加，iB 减小 　2. 输出特性曲线 　　 　　 (3) 饱和区：对应于 VCEVBE 的区域，集电结处于正偏， 吸引电子的能力较弱。随着 VCE 增加，集电结吸引电子能力 增强，iC 增大。JC JE 都正偏，VCES 约等于 0.3V，饱和时 c、e 间电压记为VCES，深度饱和时VCES