集成电子学(第六章) .pptxVIP

第六章 新型纳米CMOS器件;一、新型衬底结构器件 ;在器件特征尺寸不断缩小的情况下，SOI技术的优势愈来愈突出，已成为未来几代IC技术的优选技术。 体硅技术在器件特征尺寸缩小到亚100nm以后，为抑制短沟效应需要采用多种新的工艺技术，如HALO、POCKET注入，超浅结技术等，随着沟道长度的不断缩小，这些技术的实现，尤其是横向沟道工程的实现十分困难，而且会带来器件其他方面性能的损失。 而薄膜全耗尽SOI器件由于采用很薄的硅膜，易于实现超浅结技术，可以很好地抑制短沟道效应，避免了体硅中复杂的超浅结形成技术及沟道高掺杂带来的迁移率退化。;模型方面，UC Berkeley大学开发的BSIMSOI模型已嵌入到电路模拟软件SPICE中。 SOI材料方面，除了以前的注氧隔离(SIMOX)技术和键合减薄(BONDED)技术，近年来还兴起了智能剥离(smart-cut)技术等。 产品现状，随着美国IBM公司、我国台湾TSMC公司宣布提供SOI的加工服务，美国AMD公司宣布100nm以后的产品全线SOI化。 SOIMOS器件特性与器件的硅膜厚度紧密相关。根据硅膜厚度和硅膜中掺杂浓度的情况，可以将SOIMOS器件分为厚膜器件、薄膜器件以及介于两者之间的中等膜厚器件。划分的主要依据是栅下最大耗尽区宽度Xdm。 ;对于厚膜器件，硅膜厚度tsi大于于2xdm，即在正背界面形成的耗尽区之间存在一个中性区域，正背界面之间没有耦合，这种器件一般又称为部分耗尽器件。 当中性体区不接地处于悬浮状态时，将出现严重的浮体效应，对器件和电路性能将产生较大影响。 对于薄膜器件，硅膜厚度～小于于xdm，当器件开启时，硅膜处于全耗尽状态(除去由于背栅偏压使背界面处于积累或反型情况)，通常将这种器件称为全耗尽器件(FD)SOIMOS 。 全耗尽器件器件具有较高的电流驱动能力，陡直的亚阈值斜率，较小的短沟道和窄沟道效应及Kink效应。 ;SOI CMOS等比例缩小理论 ; 这就意味着，对于 的技术，在1V电源电压下，衬底掺杂浓度要达到1018cm-3。 图6.1说明了衬底掺杂浓度对体硅CMOS亚阈值特性的影响。针对给定的器件参数 则 时不能获得满意的亚阈值特性，掺杂浓度必须增大到1018cm-3。 ;9、要学生做的事，教职员??亲共做；要学生学的知识，教职员躬亲共学；要学生守的规则，教职员躬亲共守。6月-216月-21Tuesday, June 15, 2021 10、阅读一切好书如同和过去最杰出的人谈话。04:21:0804:21:0804:216/15/2021 4:21:08 AM 11、一个好的教师，是一个懂得心理学和教育学的人。6月-2104:21:0804:21Jun-2115-Jun-21 12、要记住，你不仅是教课的教师，也是学生的教育者，生活的导师和道德的引路人。04:21:0804:21:0804:21Tuesday, June 15, 2021 13、He who seize the right moment, is the right man.谁把握机遇，谁就心想事成。6月-216月-2104:21:0804:21:08June 15, 2021 14、谁要是自己还没有发展培养和教育好，他就不能发展培养和教育别人。15 六月 20214:21:08 上午04:21:086月-21 15、一年之计，莫如树谷；十年之计，莫如树木；终身之计，莫如树人。六月 214:21 上午6月-2104:21June 15, 2021 16、提出一个问题往往比解决一个更重要。因为解决问题也许仅是一个数学上或实验上的技能而已，而提出新的问题，却需要有创造性的想像力，而且标志着科学的真正进步。2021/6/15 4:21:0804:21:0815 June 2021 17、儿童是中心，教育的措施便围绕他们而组织起来。4:21:08 上午4:21 上午04:21:086月-21 1、Genius only means hard-working all ones life. (Mendeleyer, Russian Chemist)? 天才只意味着终身不懈的努力。21.5.265.26.202108:3008:30:57May-2108:30 2、Our destiny offers not only the cup of despair, but the chalice of opportunity. (Richard Nixon, American President )命运给予我们的不是失望之酒，而是机会之杯。二〇二一年五月二十六日2021年5月26日星期三 3、Patience is bitte