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半导体物理 1/35 第十章 半导体表面与MIS结构 10.1 表面态概念 10.2 表面电场效应 10.3 Si-SiO2系统的性质 10.4 MIS结构的C-V特性 10.5 表面电导及迁移率 2/35 10.1 表面态概念1 10.1.1 表面的特殊性 1. 表面处晶体的周期场中断； 2. 表面往往易受到损伤、氧化和沾污，从而影响器件的稳定性； 3. 表面往往需要特殊保护措施，如钝化等 4. 表面是器件制备的基础，如MOSFET等 3/35 10.1 表面态概念2 10.1.2 理想表面