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半导体物理-MIS结构的C-V特性 表面电导与迁移率.pdfVIP

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  • 2021-06-29 发布于湖北
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半导体物理-MIS结构的C-V特性 表面电导与迁移率.pdf

    第十章 半导体表面与MIS结构 10.1 表面态概念 10.2 表面电场效应 10.3 Si-SiO2系统的性质 10.4 MIS结构的C-V特性 10.5 表面电导及迁移率 23/35 10.4 MIS结构的C-V特性1 10.4.1 MIS电容结构的能带图 d 绝缘层 1. 无外加电压 0 金属Al P-半导体 理想 非理想 欧姆

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