第1章常用半导体器件3.pptxVIP

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2021-06-28 发布于北京
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第1章常用半导体器件3.pptx

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模拟电子技术基础;半导体二极管;导通压降: 硅管0.6~0.7V 锗管0.2~0.3V。;3、二极管的主要参数;2）稳压管的伏安特性曲线;3）稳压管的主要参数:;§1.3 双极型晶体管;NPN型;b;b;2、晶体管的内部结构特点（晶体管具有电流放大作用的内部条件）;3、晶体管的类型：;二、晶体管的电流放大作用;1）发射结加正向电压，扩散运动形成发射极电流IE;3、晶体管的三个极电流分配原则及关系;3、晶体管的三个极电流分配原则及关系;3、晶体管的三个极电流分配原则及关系;**晶体管三个极电流关系：;共射直流电流放大系???;三、晶体管的共射特性曲线;1. 输入特性（晶体管IB 与UBE 的关系曲线）;2. 输出特性(晶体管IC 与UCE 的关系曲线）;IC(mA );IC(mA );**输出特性三个区域的特点:;**三极管工作状态判断方法（以NPN硅管为例）; 2）利用晶体管三个极电位判断两个PN结的工作情况，确定晶体管的工作状态： ①两个PN结均正向偏置，晶体管处于饱和状态； ②两个PN结均反向偏置，晶体管处于截止状态； ③发射结正向偏置，集电结反向偏置，晶体管处于放大状态。; 3）晶体管工作在放大状态时，三个极电位的关系基本满足： NPN型硅晶体管Vc、VB、VE电位由高到低, PNP型锗晶体管Vc、VB、VE电位由低到高; 且硅管UBE= 0.7V,锗管 |UBE|= 0.3V 。; 四、晶体管的主要参数—正确使用、选择晶体管的主要依据。（P34);IC(mA );2）最大集电极电流 ICM 在一定条件下，晶体管允许通过的最大电流。 3）极间反向击穿电压UCBO 、UCEO 晶体管的某一电极开路时，另外两个电极间允许加的最高反向电压。;五、温度对晶体管参数的影响（P36)：;0.7V;【例2】现已测得某电路中几只晶体管三个极的直流电位如下，各晶体管开启电压均为0.5V。试判断各管的工作状态。;【例3】测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。;【例3】测得放大电路中晶体管的直流电位如图所示。在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。