半导体物理p-n结.pptVIP

* * 6.2.2 非平衡p-n结的能带图 反偏下的非平衡少数载流子 （形式与正偏相同） =0 ——相当于此处的空穴全被抽走 与反向偏压无关 * * 6.2.3 理想p-n结的电流电压关系 理想p-n模型 小注入条件 突变耗尽层条件——外加电压和接触电势差都降落在耗尽层上，耗尽层中的电荷是由电离施主和电离受主的电荷组成，耗尽层外的半导体是电中性的。因此，注入的少数载流子在p区和n区是纯扩散运动 通过耗尽层的电子和空穴为常量，不考虑耗尽层中的产生和复合作用 玻耳兹曼边界条件——在耗尽层两端，载流子的分布满足玻耳兹曼统计分布 * * 6.2.3 理想p-n结的电流电压关系 计算电流密度方法 计算势垒区边界处注入的非平衡少子浓度，以此为边界条件，计算扩散区中非平衡少子的分布 将非平衡载流子的浓度代入扩散方程，算出扩散密度，再算出少数载流子的电流密度 将两种载流子的扩散密度相加，得到理想p-n结模型的电流电压方程式 * * 6.2.3 理想p-n结的电流电压关系 以正偏为例 * * 6.2.3 理想p-n结的电流电压关系 代入 令 理想pn结模型的电流电压方程式（肖克来方程式） ——对反偏同样适用 * * 6.2.3 理想p-n结的电流电压关系 讨论： 1.pn结具有单向导电性 正向偏压下，电流密度随电压指数增加，方程可表示为 反向偏压下 反向饱和电流密度 * * 6.2.3 理想p-n结的电流电压关系 讨论： 2.强烈依赖于温度 p-n结有电阻，电流越大，焦耳热越多，温度越高，电流更大，——形成正反馈，器件烧坏。 * * 6.2.4 影响理想p-n结J-V关系的因素 势垒区的产生-复合电流 表面效应 大注入的情况 串联电阻效应 （自学） * * 6.2.4 影响理想p-n结J-V关系的因素 复合电流（正向偏压） * * 6.2.4 影响理想p-n结J-V关系的因素 * * 6.2.4 影响理想p-n结J-V关系的因素 m=1，扩散电流为主；m=2，复合电流为主。 扩散电流与复合电流之比和ni及外加电压V有关。 低正向电压下，复合电流占主要地位； 较高正向偏压下，复合电流可以忽略。 * * 6.2.4 影响理想p-n结J-V关系的因素 产生电流（反向偏压） * * 6.2.4 影响理想p-n结J-V关系的因素 讨论： Js与反向偏压无关，而JG随反向偏压增加而增加。 禁带宽度小的半导体，反向漏电流增加显著。 温度升高，反向漏电流增加。 少子寿命越小，反向漏电流越大。 * * 6.2.4 影响理想p-n结J-V关系的因素 大注入（正向偏压大） VJ VP * * 6.2.4 影响理想p-n结J-V关系的因素 * * 6.2.4 影响理想p-n结J-V关系的因素 * * 6.2.4 影响理想p-n结J-V关系的因素 总结 复合电流 扩散电流 大注入 串联电阻效应 产生电流 * * 6.2 例题 例1. Si p-n结参数如下：ND=1016cm-3，NA=5×1018cm-3，p-n结截面积A=0.01cm2，?n= ?p =1us，设结两边的宽度远大于各自少子的扩散长度，求室温时正向电流I为1mA时的外加电压。设p区?n=500cm2/(V·s)， n区?p =180cm2/(V·s)。 * * 6.2 例题 例2. Si p-n结：NA=9×1015/cm3，ND=2×1016/cm3，在p区?p1=350cm2/(V·s)，?n1=500cm2/(V·s)，在n区?p2=300cm2/(V·s)，?n2=900cm2/(V·s)，设两区内少子寿命均为1us，截面积为10-2cm2，q/kT=38.7(1/V)，当外加正向电压V=0.65V时，求: (1)300K时流过p-n结的电流I表达式。 (2)若以p区指向n区为x轴正向，列出n区内空穴和电子的浓度分布的表达式。 (3)确定n区内空穴扩散电流、电子扩散电流、电子漂移电流和总的电子电流随x变化的表达式。 半导体物理Semiconductor Physics 第六章 p-n结 * * 第六章 p-n结 引言 若在同一半导体内部，一边是p型，一边是n型，则由于在p型区和n型区交界面附近形成所谓的pn结。它是许多重要半导体器件的核心。 pn结的行为不是简单等价于一块p型半导体和n型半导体串联。这种结构具有特殊的性质：单向导电性。 其单向导电性和在其界面附近形成的势垒密切联系。因此这一节的讨论从pn结的势垒开始，然后介绍电流电压特性、电容效应以及击穿特性等。 * * 引言 6.1 p-n结及其能带图 6.2 p-n结电流电压特性 6.3 p-n结电容 6.4