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2021-07-04 发布于湖北
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数字集成电路数字集成电路 —— 电路、系统与设计 I —— 电路、系统与设计 D C 第二讲器件第二讲器件 1 1 内容 I 内容 D C  二极管隔离、保护  MOS管  互连线 2 二极管二极管 I D C •反偏隔离作用 •保护一维简化 3 耗尽层 I 耗尽层 D C 浓度梯度电场内建电势 Φ= Φln[N N /n 2] 0 T A D i Φ=26mV T 4 手工分析模型 I 手工分析模型 D C  工程近似：二极管固定的导通电压降0.7V 5 动态特性 I 动态特性 D C 耗尽区宽度最大电场耗尽区电容 6 结电容 I 结电容 D C 突变结线性结 m为梯度系数结电容与外加偏置电压的关系（单位为fF/μm2 ） 7 扩散电容 I