半导体制造工艺基础教材.pptxVIP

光刻的作用和目的 图形的产生和布局; 光刻的定义 光刻是一种图形复印和化学腐蚀相结合的精密表面加工技术。用照相复印的方法将掩模版上的图案转移到硅片表面的光刻胶上，以实现后续的有选择刻蚀或注入掺杂; 集成电路的特征尺寸是否能够进一步减小，也与光刻技术的进一步发展有密切的关系。 通常人们用特征尺寸来评价一个集成电路生产线的技术水平。 ;光刻的要求;1. 高分辨率 分辨率是将硅片上两个邻近的特征图形区分开来的能力，即对光刻工艺中可以达到的最小光刻图形尺寸的一种描述，是光刻精度和清晰度的标志之一。 随着集成电路的集成度提高，加工的线条越来越细，对分辨率的要求也越来越高。 通常以每毫米内能刻蚀出可分辨的最多线条数目来表示。;2.高灵敏度 灵敏度是指光刻胶感光的速度。为了提高产量,要求光刻周期越短越好，这就要求曝光时间越短越好，也就要求高灵敏度。;4.大尺寸硅片的加工 提高了经济效益 但是要在大面积的晶圆上实现均匀的胶膜涂覆，均匀感光，均匀显影，比较困难 高温会引起晶圆的形变，需要对周围环境的温度控制要求十分严格，否则会影响光刻质量;光学图形曝光－洁净室;35％的成本来自于光刻工艺;IC掩模版;空间图像;掩膜版制作;;掩模版制作过程;成品率Y:;光刻机;三种硅片曝光模式及系统;步进投影式光刻机原理图;DSW－direct step o