模拟电子技术综合复习题(学生版)..docVIP

《模拟电子技术》复习题综合（第 1、2 章） 一 .选择题 1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成 N 型半导体。 A.二 B.三 C.四 D.五 2、在 P 型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。 A.大于 B.等于 C. 小于 3、本征半导体温度升高以后， C 。 A.自由电子增多，空穴数基本不变 B.空穴数增多，自由电子数基本不变 C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同 D.自由电子数和空穴数都不变 4、空间电荷区是由 C 构成的。 A.电子 B.空穴 C. 离子 D.分子 5、PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 D. 无法确定 6、稳压管的稳压区是其工作在 C 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 7、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。 前者反偏、后者也反偏 前者正偏、后者反偏 前者正偏、后者也正偏 前者反偏、后者正偏 8、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将A 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 D. 都有可能 、工作在放大区的某三极管，如果当 I B 从 12μ A 增大到 22μA 时， I C 从 1mA 9 变为 2mA，那么它的 β约为C 。 A. 83 B. 91 C. 100 D. 10 10、晶体管是 A 器件。 A.电流控制电流 B.电流控制电压 C