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; 本章总的要求:
熟练掌握TTL和CMOS集成门电路输出与输入间的逻辑关系、外部电气特性,包括电压传输特性、输入特性、输出特性和动态特性等;掌握各类集成电子器件正确的使用方法。
重点:
TTL电路与CMOS电路的结构与特点. ;3.1 概述;3.2 半导体二极管门电路;ui=0V时,二极管截止,如同开关断开,
uo=0V。;ui=5V时,二极管导通,如同0.7V的电压源,
uo=4.3V。; 当外加电压突然由正向变为反向时,存储电荷反向电场的作用下,形成较大的反向电流。经过ts后,存储电荷显著减少,反向电流迅速衰减并趋于稳态时的反向饱和电流。; 反向恢复时间即存储电荷消失所需要的时间,它远大于正向导通所需要的时间。这就是说,二极管的开通时间是很短的,它对开关速度的影响很小,以致可以忽略不计。 ;§3.2.2 二极管与门;§3.2.3 二极管或门;3.3 CMOS门电路;G;vGS=0时;;二、MOS管的输入、输出特性;夹断区(截止区);可变电阻区;恒流区:
(又称饱和区或放大区);三、MOS管的基本开关电路; 当vIVGS(th)且vI继续升高时,MOS管工作在可变电阻区。MOS管导通内阻RON很小,D-S间相当于闭合的开关,vO≈0。;四、MOS管的四种基本类型;G;§3.3.2 CMOS反相器工作原理 ;;vI=1;二、电压传输特性和电流传输特性 ;电
流
传
输
特
性;输入低电平时噪声容限:;噪声容限--衡量门电路的抗干扰能力。
噪声容限越大,表明电路抗干扰能力越强。; 因为MOS管的栅极和衬底之间存在着以SiO2为介质的输入电容,而绝缘介质非常薄,极易被击穿,所以应采取保护措施。;iI (mA);二、输出特性 ;§3.3.4 CMOS反相器的动态特性 ;二、交流噪声容限 ;§3.3.5 其他类型CMOS门电路 ;任一输入端为低,设vA=0;输入全为高电平;2.或非门;任一输入端为高,设vA=1;输入端全为低;3. 带缓冲级的CMOS门电路; 带缓冲级的门电路其输出电阻、输出高、低电平以及
电压传输特性将不受输入端状态的影响。电压传输特性的
转折区也变得更陡。;二、漏极开路输出门电路(OD门);;RL的选择:;VIH;①C=0、 ,即C 端为低电平(0V)、 端为高电平
(+VDD)时, T1和T2都不具备开启条件而截止,输
入和输出之间相当于???关断开一样,呈高阻态。;②C=1、 ,即C 端为高电平(+VDD)、 端为低电平(0V)时,T1和T2至少有一个导通,输入和输出之间相当于开关接通一样,呈低阻态,vo=vi 。;;;;;双向模拟开关; , G4输出高电平,G5输出低电平,T1、T2 同时截止,输出呈高阻态;;;;§3.3.6 CMOS电路的特点 ; 1.输入电路的静电保护
CMOS电路的输入端设置了保护电路,给使用者带来很大方便。但是,这种保护还是有限的。由于CMOS电路的输入阻抗高,极易产生感应较高的静电电压,从而击穿MOS管栅极极薄的绝缘层,造成器件的永久损坏。为避免静电损坏,应注意以下几点: ; (1)所有与CMOS电路直接接触的工具、仪表等必须可靠接地。
(2)存储和运输CMOS电路,最好采用金属屏蔽层做包装材料。;3.5 TTL门电路;二、双极型三极管的输入特性和输出特性 ;三、双极型三极管的基本开关电路 ;三极管临界饱和
时的基极电流:;②ui=0.3V时,因为uBE0.5V,iB=0,三极管工作在
截止状态,ic=0。因为ic=0,所以输出电压:;③ui=3V时,三极管导通,基极电流:;四、双极型三极管的开关等效电路 ;(2)饱和状态; 三极管开关等效电路
(a) 截止时 (b) 饱和时;ui;BJT的开关时间:是指BJT管由截止到饱和导通
或者由饱和导通到截止所需要的时间。;存储时间ts—从输入信号降到-VB1到ic降到0.9ICS 所需要的时间; ; 加入-VEE的目的是确保即使输入低电平信号稍大于零时,也能使三极管基极为负电位,从而使三极管 可靠截止,输出为高电平。;;输入级;1.输入为低电平(0.2V)时;1.输入为低电平(0.2V)时;2.输入为高电平(3.4V)时;2.输入为高电平(3.4V)时; 可见,无论输入如何,T4和T5总是一管导通而另一管截止。
这种推拉式工作方式,带负载能力很强。;;;;; 输出高电平VOH、输出低电平VOL;输入低电平时噪声容限:;一.输入特性:;二.输出特性;二.输出特性;前后级
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