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微电子技术综合实践报告 目录 1.设计任务 P1 2.设计方案及步骤 P1 3.CMOS 概述 P2 4.器件模拟与设计 P3 5.芯片工艺流程分析 P5 6.芯片的工艺模拟与设计 P11 7.结果分析与参数汇总 P17 8.工艺实施方案 P18 9.总结 P21 10.参考资料 P22 1 微电子技术综合实践报告 1. 设计任务 1. 设计任务 1.1 设计指标 1.1.1 特性指标要求：n 沟多晶硅栅 MOSFET ：阈值电压VTn 0.5V, 漏极饱和 电流IDsat ≥1mA, 漏源饱和电压 VDsat ≤3V ，漏源击穿电压 BVDS=35V, 栅源击穿 2 电压BV ≥25V, 跨导 g ≥2mS, 截止频率 f ≥3GHz （迁移率 µ =600cm /V·s） GS m max n p 沟多晶硅栅 MOSFET ：阈值电压VTp -1V, 漏极饱和电流 IDsat ≥1mA, 漏源饱 和电压 VDsat ≤3V ，漏源击穿电压 BVDS 35V, 栅源击穿电压 BVGS ≥25V, 跨导 2 g ≥0.5mS, 截止频率 f ≥1GHz （迁移率 µ =220cm /V·s） m max p 1.1.2 结构参数参考值： N 型硅衬底的电阻率为 20cm；垫氧化层厚度约为 600 Å ；氮化硅膜厚约为 1000 Å ； P 阱掺杂后的方块电阻为 3300/，结深为 5~6m； NMOS 管的源、漏区磷掺杂后的方块电阻为 25/，结深为 0.3~0.5m； PMOS 管的源、漏区硼掺杂后的方块电阻为 25/，结深为 0.3~0.5m； 场氧化层厚度为 1m；栅氧化层厚度为 500 Å ；多晶硅栅厚度为 4000 ~5000 Å 。 1.2 设计内容： 1. MOS 管的器件结构参数确定 2. 确定 p 阱 CMOS 芯片的工艺流程， 根据设计参数进行 p 阱 CMOS 芯 片工艺流程模拟 （用 ISE 软件） 3. 根据结构参数要求设计 p 阱 CMOS 芯片的工艺参数，并验证工艺条件 的优化 （用 ISE 软件） 4. 设计参数验证工艺条件与参数验证； 5. 给出p 阱 CMOS 芯片制作的工艺实施方案 （包括工艺流程、方法、条件、 结果） 2. 设计方案及步骤 1. 了解题目内容，详细分析题目的具体要求； 2. 确定总体设计思路。根据特性指标要求，分析影响器件特性的关键结构参 数，以及相互制约关系，给出折衷方案； 3. 建立结构模型，利用 ISE 软件进行特性分析，找出最佳的结构参数； 4. 分析半导体芯片的结构特点，初步确定其工艺流程； 5. 分析影响芯片特性的关键工艺，找出关键结构参数及其相互影响关系； 1 6. 根据芯片的工艺流程，选择适当的工艺实现方法； 7. 利用 ISE 软件进行工艺流程以及工艺条件的模拟，找出满足初定结构参数 所对应的最佳工艺条件； 8. 验证工艺条件的可行性，确定最终工艺条件； 9. 根据结构参数与工艺分析结果，画光刻版图 （示意图），给出最终的工艺