电子束的电偏转与电子荷质比的测定 张志林.docxVIP

电子束的电偏转与电子荷质比的测定 张志林 电子束的电偏转与电子荷质比的测定lpar;张志林rpar; HARBIN ENGINEERING UNIVERSITY 实 验 题 目： 电子束的电偏转与电子荷质比的测定 姓 名： 张志林 物理实验教学中心 实 验 报 告 一、实验题目：电子束的电偏转与电子荷质比的测定 二、实验目的： 1.了解示波管的基本结构和电聚焦的原理； 2.测量示波管的电偏转灵敏度； 3.了解电子束纵向磁聚焦的基本原理； 4.观察磁聚焦现象，学习用磁聚焦法测定电子比荷e/m。 三、实验仪器： 电子束实验仪、直流安培表、直流稳压电源、三用表三块。 四、实验原理（原理图、公式推导和文字说明）： 1.示波管的基本结构和静电聚焦原理 示波管由电子枪、偏转板和荧光屏三部分组成，如图12-1所示。其中电子枪是示波管的核心部件。 示波管的基本结构图 H，H′—钨丝加热电极；FA—聚焦电极；K—阴极；A—第二加速2 阳极；G—控制栅极；XX—水平偏转板；A—第一加速阳极；121 YY—垂直偏转板 12 电子枪由阴极K、栅极G、第一加速阳极A、聚焦阳极FA和1 第二加速阳极A等同轴金属圆筒（筒内膜片的中心的限制小孔）组2 成。当加热电流从H，H′通过钨丝，阴极K被加热后，筒端的钡锶氧化物涂层内的自由电子获得较高的动能，从表面逸出。因为第一加速阳极A具有（相对于阴极K）很高的电压（例如1100V），在1 K - G - A之间形成强电场，故从阴极逸出的电子在电场中被加速，1 形成一束电子射线，最后打击在屏的荧光物质上，发出可见光，在屏背可以看见一个亮点。 射线中的电子从电子枪“枪口”（最后一个加速电极A的小孔）2 射出的速度v，由下面的能量关系决定 z 12mvz?eV22 22 z式中，U为A对阴极K的电位差，电子的最后射出速度v是相同 的，与电子在电子枪内的电位起伏无关。 控制栅极G相对于阴极K负电位（见图中电路），两者相距很近，当栅极G负的电位不很大时就足以把电子斥回，使电子束截止。用电位器R调节G对K的电压，可以控制电子枪射出电子的数目，1 从而连续改变屏上光点的亮度。 阴极发射的电子在电场的作用下，会聚于控制栅极小孔附近一点。在这里，电子束具有最小的截面，往后，电子束又散射开来。为了把散射开来的电子束会聚起来，采用如图12-2所示的静电场装置（静电透镜）。其作用原理如下： 图12-2 电场聚焦原理 电子枪内的聚焦电极FA与第二加速电极A组成一个静电透2 镜，其间的静电场分布如图12-2所示。虚线为等位线，实线为电力线，电场对Z轴是对称分布的。电子束中某个散离轴线的电子沿轨 道S进入聚焦电场。在电场的前半区（左边），这个电子受到与电力线相切方向的作用力f。f可分解为垂直指向轴线的分力fr与平行于轴线的分力fz（图中A区）。fr的作用使电子运动向轴线靠拢，起聚焦作用；fz的作用使电子沿Z轴线方向得到加速度。电子到达电场的后半区（右边）时，受到的作用力f′起散焦作用。考虑到电子在后半区的轴向速度比在前区的大得多，获得的离轴速度比在前区获得的向轴速度小，总的效果是电子向轴线靠拢，整个电场起聚焦作用。聚焦作用的强弱是由图中“聚焦”电位器R2，即改变FA与 A2之间的电位差，从而改变其间的电场强度来实现的。 2.电子束的电偏转 在示波管的两块Y（或X）偏转板加上电压时，受电场力的作用，通过两板之间的电子束的方向发生偏转，如图12-3所示。 图12-3 电子束的电偏转示意图 y?bLVy 2dV2 该式表明，偏转板的电压Uy越大，屏上光点的位移也越大，两者是线性关系。比例常数在数值上等于偏转电压为1V时，屏上光点位移的大小，称为示波管的电偏转灵敏度Sy，其倒数称为偏转因数，即 Sy?ybL? Vy2dV2 显然，对X偏转板也有相应的电偏转灵敏度Sx和偏转因数，即 Sx?? Vx2dV2 由于X1,X2与Y1Y2两对金属偏转板一前一后地安装，其他条件 相同时，远离荧光屏（L较大）的一对偏转板的灵敏度较大。增加偏转板的长度b与缩小两板距离d固然可以增大示波管的灵敏度，但偏转大的电子易被板端阻挡，或电子束经过板边缘的非均匀电场，以致y∝Uy的线性关系遭到破坏。所以通常将两偏转板的出口向外折开成喇叭状。 屏上光点位移与偏转电压的线性关系，使示波管成为测量电