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晶体振荡器的应用 晶体振荡器的应用 晶体振荡器的应用 石英晶体作为滤波、振荡元件已广泛应用在广播通讯、电子测量、航空、航天等方面。其发展历史只有短短几十年, 美国是发展石英晶体最早的国家, 而像CORNIGN 这样的老牌公司也只是在1941年才注册成立。最近一、二十年来, 由于PCS 、GSM 、GPS 、PDC 、CDMA 等诸多移动通讯技术的需求, 石英晶体振荡器中的石英晶体谐振器不再是单一元件, 它已发展成为组件, 而且几乎全部以集成化、全集成化、全数字化形式展现出来, 体积比过去缩小了数倍乃至数十倍。 2晶体振荡器的组成和分类 2.1晶体振荡器的组成 晶体振荡器由晶体振荡电路和输出电路两部分构成。 2.1.1振荡电路 晶体振荡器电路分为并联晶体振荡电路和串联晶体振荡电路, 常用并联晶体振荡电路。晶体工作在串联谐振频率ωS 和并联谐振频率ωP 之间, 即呈现感抗。而振荡性能的优劣由晶体的品质、切割取向、振子结构及振荡电路共同决定。图1为AT 切割和SC 切割的频率 温度特性曲线。可以看出,SC 切割有高的静态和动态f －t 稳定性、良好的老化率和相位噪声, 但缺点是频率牵引灵敏度低、成本高。 最常用的振荡电路是集电极交流接地的考毕兹振荡电路（如图2所示）。此电路的优点是电路简单、可靠、稳定。 2.1.2输出电路 输出电路的作用是对振荡获得的正弦信号进行缓冲、放大、整形, 得到图3所示的标准输出电平, 驱动负载或后级门电路。这里, 还经常用到逻辑电平转换电路和分频、倍频电路。 其输出正弦波电平用Vp-p 、VRMS 或dBm 表示,dBm 的计算式为：dBm 10log( ) 必要时, 还须1mW 注明谐波抑制比。方波或矩形波输出电平应注明TTL 、CMOS 、HCMOS 还是ECL 、直流分量值，并且表示出占空比、上升时间、下降时间等其它相应参数。 标准输出负载为50Ω、1k Ω、10k Ω∥10pF 或用驱动几个门电路表示, 如驱动2个门,5个门电路。 对晶体振荡器的噪声系数有特殊要求时, 则应严格设计振荡、放大电路及电源。譬如主振选用低噪声管、低噪声压控电压并使振荡在低电压工作, 各级电路必须匹配以保证无反射、辐射。 2.2晶体振荡器常用标频、术语及电源 2.2.1晶体振荡器常用标频（MHz, 包括倍频/分频） 1.64，4.096，5，5.2，6.4，7.68，9.6，10，12，12.8，13，15，16.384，18.432，19.2，20，26，30，32.768，38.88，40.96，51.2，60，70， 80，91.2，100。 2.2.2术语 标称频率 工作温度范围 频率温度稳定度 负载频率允差 电压频率允差 短期频率稳定性 日老化 年老化 压控电压 压控线性度 压控灵敏度 基准温度初始精度 起动电流 稳态电流 相位噪声 2.2.3电源 晶体振荡器应选用稳压性能好、温度漂移小的直流电源。输入电压变化±5％或±10％时, 输出电压在10ppm/℃～100ppm/℃之间。常用电源电压为3.3V 、5V 、9V 、12V 、24V 、－5.2V 或－5V 。 2.3晶体振荡器的分类 根据振荡电路调频, 稳频方法将晶体振荡器分为以下5种： 2.3.1普通晶体振荡器PXO （Packaged X＇tal Osillator） 晶体振荡频率固定, 频率温度性能主要由晶体温度性能决定的晶体振荡器被称为简式晶振。其电路简单, 但频率稳定度低, 常用作时钟振荡器。 晶体等效电路如图4所示, 通常 L：10mH ～1000mH C:0.0002pF～0.1pF R： 串联谐振频率ωs 和并联谐振频率ωp 分别为ωs = , 可 达 10～ 10, 加上稳定的电路, 可轻易地获得1×10的频率温度稳定度。 2.3.2压控晶体振荡器VCXO （Voltage Controlled X＇tal Osillator） 用调节外电压的方法改变晶体串联的变容管结电容以牵引振荡频率, 称为压控晶振。其可用频率范围为 10MHz ～1700MHz, 典型频率范围为40MHz ～80MHz, 频率牵引范围为±10ppm ～±200ppm, 最大为±500ppm 。压控晶振也未对晶体进行任何补偿, 它主要应用在全球移动通讯、个人蜂窝电话和通讯基站中。 2.3.3温度补偿晶体振荡器TCXO （Temperature Compensated X＇tal Osillator） 通过附加温度补偿网络, 使环境温度变化后晶体串联回路电容反向变化, 以抵消晶体所