五章节晶闸管及其整流电路补充内容.pptxVIP

第五章 晶闸管及其整流电路（补充内容）;一、晶闸管的基本结构;;;;;晶闸管导通后，去掉EG ，依靠正反馈，仍可维持导通状态。;晶闸管导通的条件;晶闸管关断的条件;;正向特性 IG=0时，器件两端施加正向电压，只有很小的正向漏电流，正向阻断状态。 正向电压超过正向转折电压Ubo，则漏电流急剧增大，器件开通。 随着门极电流幅值的增大，正向转折电压降低。 晶闸管本身的压降很小，在1V左右。;晶闸管的伏安特性 ;五. 动特性; 1) 开通过程 延迟时间td (0.5-1.5?s) 上升时间tr (0.5-3?s) 开通时间tgt以上两者之和，tgt=td+ tr;六、主要参数;额定正向平均电流 环境温度为40?C及标准散热条件下，晶闸管处于全导通时可以连续通过的工频正弦半波电流的平均值。;UF: 通态平均电压（管压降） 在规定的条件下，通过正弦半波平均电流时， 晶闸管阳、阴极间的电压平均值。 一般为1V左右。; 动态参数 除开通时间tgt和关断时间tq外，还有： 断态电压临界上升率du/dt ——指在额定结温和门极开路的情况下，不导致晶闸管从断态到通态转换的外加电压最大上升率。 ——电压上升率过大，使充电电流足够大，就会使晶闸管误导通 。 通态电流临界上升率di/dt