模拟电子技术晶体三极管第二讲三极管的伏安特性曲线-文字教材.docVIP

第二讲 文字教材 第一章 常用电子元器件 晶体三极管 第二讲 三极管的伏安特性曲线 三极管的伏安特性曲线是指三极管各电极电压与电流之间的关系曲线。它是三极管内部载流子运动规律的外部表现。 由于三极管有三个电极，它的伏安特性就不象二极管那样简单，工程上最常用的是输入特性和输出特性曲线。 一般采用实验的方法逐点描绘出来或用专用得晶体三极管伏安特性曲线图示仪直接在荧光屏上显示得到。 图1 三极管特性曲线的测试电路 下面以共发射极放大电路为例进行描述。 一、输入特性曲线 输入特性是指当集电极与发射极之间的电压uCE为某一常数时，输入回路中加在三极管基极与发射极之间的电压uBE与基极电流iB之间的关系曲线。 其有如下特点： 当UCE=0时，与二极管正向伏安特性相似。 当UCE1V时，曲线右移，当UCE1V后继续增大，曲线右移不明显。 存在门坎电压（死区电压），硅为0.5V，锗为0.2V。 三极管导通工作后，IB在较大范围内变化时，UBE几乎不变。硅为0.7V，锗为0.3V。 输入特性是非线性的。 图2 NPN型硅管的共发射极接法输入特性曲线 二、输出特性曲线 输出特性是在基极电流iB一定得情况下，三极管的输出回路中（此处指集电极回路）， 集电极与发射极之间的电压uCE与集电极电流iC之间的关系曲线。 图3 NPN型硅管的共发射极接法输出特性曲线 如图3是NPN型硅管的输出特性曲线。由图可见，各条特性曲线的形状基本相同，现取一条（例如40μA）加以说明。 当IB一定（如IB=40μA）时，在其所对应曲线的起始部分，随UCE的增大IC上升；当UCE达到一定的值后，IC几乎不再随UCE的增大而增大，IC基本恒定（约1.8mA）。这时，曲线几乎与横坐标平行。这表示三极管具有恒流的特性。 三、三个工作区的划分、工作条件及外特性 一般把三极管的输出特性分为三个工作区域：即放大区，截止区，饱和区。 ①截止区 此时发射结和集电结均反向偏置。这时， IC=ICEO（穿透电流）。若忽略不计穿透电流ICEO,IB、IC近似为0；三极管的集电极和发射极之间电阻很大，三极管相当于一个开关断开。 ②放大区 此时三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置。基极电流IB微小的变化会引起集电极电流IC较大的变化，有电流关系式：；表现为恒流特性。对NPN型硅三极管有发射结电压，锗三极管有。 ③饱和区 此时三极管的发射结和集电结均正向偏置；三极管的电流放大能力下降，通常有。UCE的值很小，称此时的电压UCE为三极管的饱和压降，用UCES表示。一般硅三极管的UCES约为0.3V，锗三极管的UCES约为0.1V。三极管的集电极和发射极近似短接，三极管相当于一个开关导通。 三极管作为开关使用时，通常工作在截止和饱和导通状态；作为放大元件使用时，一般要工作在放大状态。 表1 NPN 型三极管三种工作状态的特点 工作状态 放 大 饱 和 截 止 条件 发射结正偏，集电结反偏（0＜IB＜IBS） 发射结正偏，集电结正偏（IB≈0） 发射结反偏，集电结反偏（IB＞IBS） 工 作 特 点 集电极电流 IC＝βIB IC＝ICS ≈ IC＝ ≈0 管压降 近似的 等效 电路 c、e间等效内阻 可变 很小，约为数百欧，相当于开关闭合 很大，约为数百千欧，相当于开关断开