半导体物理学(刘恩科)第六第七版第一章到第八章完整课后题答案.docxVIP

______________________________________________________________________________________________________________ 第一章习题 1 ．设晶格常数为 a 的一维晶格，导带极小值附近能量 Ec(k) 和价带极大值附近 能量 EV(k) 分别为： EC h2k 2 h2( k k1 ) 2 h 2k 21 3h 2 k 2 （K）= m0 , EV( k ) m0 3m0 6m0 m0 为电子惯性质量， k1, a 0.314nm。试求： a （ 1）禁带宽度 ; （2）导带底电子有效质量 ; （3）价带顶电子有效质量 ; （4）价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化 解：（1） 导带： 由 2 2k 2 2 (k k1 ) 0 3m0 m0 得： k 3 k1 4 d 2 Ec 2 2 2 2 8 2 0 又因为： dk2 3m0 m0 3m0 所以：在 k 3 处， 取极小值 4 k Ec 价带： dEV 6 2 k 得 k 0 dk m0 0 又因为 d 2 EV 6 2 0, 所以 k 0处， EV 取极大值 dk 2 m0 因此： E g EC 3 EV (0) 2k12 ( k1 ) 0.64eV 4 12m0 2 3 (2)mnC* m0 d 2 EC 8 dk 2 k 3 k1 4 精品资料 ______________________________________________________________________________________________________________ 2 m0 (3)mnV* d 2 EV 6 dk 2 k 01 (4)准动量的定义： p k 所以： p ( k) 3 ( k ) k 0 3 k1 0 7.95 10 25 N / s k 4 k1 4 晶格常数为 0.25nm 的一维晶格，当外加 102V/m， 107 V/m 的电场时，试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。 解：根据： f qE h k 得 t k t qE ( 0 ) t1 a 8.27 10 8 s 1.6 10 19 102 ( 0 ) t2 a 8.27 10 13 s 1.6 10 19 107 补充题 1 分别计算 Si （100），（110），（ 111）面每平方厘米内的原子个数，即原子面密度 （提示：先画出各晶面内原子的位置和分布图） Si 在（ 100），（ 110）和（ 111）面上的原子分布如图 1 所示： （a） (100) 晶面 （b） (110) 晶面 精品资料 ______________________________________________________________________________________________________________ c） (111) 晶面 1 4 1 2 2 4 14 2 （ ）： 6.78 10 atom / cm 100 a 2 a 2 (5.43 10 8 ) 2 2 4 1 2 1 4 4 2 10 14 atom / cm 2 （ ）： 2a a 2a 2 4 1 2 1 2 4 4 2 14 2 （ ）： 10 3 a 2a 3a 2 2 补充题 2 2 7 1 cos 2 ) ， 一维晶体的电子能带可写为 E （ k ) ma 2 ( cos ka 8 8 ka 式中 a 为 晶格常数，试求 （1）布里渊区边界； （2）能带宽度； （3）电子在波矢 k 状态时的速度； （4）能带底部电子的有效质量 m*n ； （5）能带顶部空穴的有效质量 m*p 解：（ 1）由 dE(k ) 0 得 k n dk a n=0， 1， 2?） 进一步分析 k (2n 1) ，E（ k）有极大值， a 精品资料 ______________________________________________________________________________________________________________ E（ k) MAX 2 2 ma 2 2n 时， E（ k）有极小值 a 所以布里渊区边界为 k (2n 1) a (2) 能带宽度为 E（ k ) MAX E(k) MIN 2 2 ma 2 (3 ）电子在波矢 k 状态的速度 v 1 dE (sin ka 1 sin 2ka) dk ma 4 （4）电子的有效质量 mn* 2 m 2 E d (cos ka 1 dk 2 co