谐振式MEMS压力传感器的制作及圆片级真空封装 陈德勇.docxVIP

谐振式MEMS压力传感器的制作及圆片级真空封装 陈德勇 谐振式MEMS压力传感器的制作及圆片级真空封装lowbar;陈德勇 Ｏｔ　　　ｃｓａｎｄＰｒｅｃｉｓｉｏｎＥｎｉｎｅｅｒｉｎ　　　ｐｉｇｇ２０１４年５月 第２２卷　第５期 光学精密工程 Ｖｏｌ．２２　Ｎｏ．５ａ．２０１４　Ｍｙ ）文章编号　１００４９２４Ｘ（２０１４０５１２３５０８－－－ 谐振式ＭＥＭＳ压力传感器的制作及圆片级 陈德勇＊，曹明威，王军波，焦海龙，张　健 （中国科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室北京１００１９０） ）摘要：为了提高传感器的品质因数，有效保护谐振器，提出了一种基于绝缘体上硅（ＳＯＩ－玻璃阳极键合工艺的谐振式微），电子机械系统（压力传感器的制作及真空封装方法。该方法采用反应离子深刻蚀技术（分别在ＳＭＥＭＳＤＲＩＥ）ＯＩ晶圆然后，通过氢氟酸缓冲液腐蚀Ｓ的低电阻率器件层和基底层上制作Ｈ型谐振梁与压力敏感膜；ＯＩ晶圆的二氧化硅层释 放可动结构。最后，利用精密机械加工技术在Ｐ通过硅－玻璃阳极键合实现谐ｒｅｘ玻璃圆片上制作空腔和电连接通孔，ｙ成功地将谐振器封装在真空参考腔中。对传感器的性能测试表明：该真空封装方案简振梁的圆片级真空封装和电连接， ／，单有效，封装气密性良好；传感器在１线性相关系数为００ｋＰａ～１１０ｋＰａ的差分检测灵敏度约为１０．６６ＨｚｈＰａ．９９ ５４２。９９９　）；关　键　词：微电子机械系统；谐振式压力传感器；绝缘体上硅（阳极键合；真空封装ＳＯＩ：／中图分类号：ＴＰ２１２．１　　文献标识码：Ａ　　ｄｏｉ１０．３７８８ＯＰＥ１２３５ ＦａｂｒｉｃａｔｉｏｎａｎｄｗａｆｅｒｌｅｖｅｌｖａｃｕｕｍａｃｋａｉｎｏｆＭＥＭＳ　　－　　　ｐｇｇ ｒｅｓｓｕｒｅｒｅｓｏｎａｎｔｓｅｎｓｏｒ　　ｐ ，，ＷＡＮＧ，，ｏｎＣＨＥＮＤｅＣＡＯ　ＭｉｎｅｉＪｕｎｂｏＪＩＡＯ　ＨａｉｌｏｎＺＨＡＮＧＪｉａｎ　－ｙ－ｗ　－－　ｇｇｇ （Ｓｔａｔｅ　ＫｅＬａｂｏｒａｔｏｒｏＴｒａｎｓｄｕｃｅｒＴｅｃｈｎｏｌｏＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ，　　ｙ　ｙｆ　ｇｙ，ｆ　　ＣｈｉｎｅｓｅＡｃａｄｅｍｏＳｃｉｅｎｃｅｓ，Ｂｅｉｉｎ００１９０，Ｃｈｉｎａ）　ｙｆ　ｊｇ１ ｏｒｒｅｓｏｎｄｉｎａｕｔｈｏｒ，Ｅ－ｍａｉｌ：ｄｃｈｅｎａｉｌ．ｉｅ．ａｃ．ｃｎ＊Ｃ＠ｍｐｇｙ ：，ｕａｌｉｔｒｏｔｅｃｔＡｂｓｔｒａｃｔＴｏｉｍｒｏｖｅｔｈｅｆａｃｔｏｒｏｆｓｅｎｓｏｒｓａｎｄｔｏｒｅｓｏｎａｔｏｒｓｔｈｅｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎａｎｄｗａｆｅｒ　　　　　　　　　　　　－ｑｙｐｐ ）ｌｅｖｅｌ　ｖａｃｕｕｍ　ａｃｋａｉｎｍｅｔｈｏｄｓ　ｆｏｒ　ａ　Ｍｉｃｒｏ－ｅｌｅｃｔｒｏ－ｍｅｃｈａｎｉｃ　Ｓｓｔｅｍ（ＭＥＭＳｒｅｓｏｎａｎｔ　ｒｅｓｓｕｒｅ　ｓｅｎ－ｐｇｇ　ｙｐ）ｓｏｒ　ｗａｓ　ｒｏｏｓｅｄ　ｂａｓｅｄ　ｏｎ　Ｓｉｌｉｃｏｎ　Ｏｎ　Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ（ＳＯＩ－ｇｌａｓｓ　ａｎｏｄｉｃ　ｂｏｎｄｉｎｔｅｃｈｎｏｌｏ．Ｔｈｒｏｕｈｐｐｇ　ｇｙｇ ，Ｈ－ＤｅｅＲｅａｃｔｉｖｅ　Ｉｏｎ　ＥｔｃｈｉｎＤＲＩＥ）ｒｏｃｅｓｓ　ａｎｄ　ｂｕｆｆｅｒｅｄ　ｏｘｉｄｅ　ｅｔｃｈｅｄ　ｒｅｌｅａｓｉｎｒｏｃｅｓｓｔｅ　ｒｅｓｏ－ｐ　ｇ（ｐｇ　ｐｙｐｎａｎｔ　ｂｅａｍｓ　ａｎｄ　ｒｅｓｓｕｒｅ　ｄｉａｈｒａｍ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｓｅｎｓｏｒ　ｗｅｒｅ　ｆａｂｒｉｃａｔｅｄ　ｏｎ　ｔｈｅ　ｌｏｗ　ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｄｅｖｉｃｅ　ｌａｅｒｐｐｇｙ　ｙ ，，　ｔｈｅ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅ　ｌａｅｒ　ｏｆ　ＳＯＩ　ｗａｆｅｒｒｅｓｅｃｔｉｖｅｌａｎｄ　ａ　ｍｏｖｅａｂｌｅ　ｍｅｃｈａｎｉｓｍ　ｗａｓ　ｒｅｌｅａｓｅ　ｂａ　ＳｉＯａｎｄ２ｙｐｙｙ　，ｌａｅｒ　ｏｆ　ｔｈｅ　ＳＯＩ　ｗａｆｅｒ　ｃｏｒｒｏｄｅｄ　ｂｈｄｒｏｆｌｕｏｒｉｃ　ａｃｉｄ　ｆｌｏｗ．Ｆｉｎａｌｌｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ　ｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ　ａｎｄ　ａ　ｃａｖｉｔｙｙｙｙｙ　ｆｏｒ　ｔｈｅ　ｖｉｂｒａｔｉｏｎ　ｏｆ　ｂｅａｍｓ　ｗａｓ　ｉｍｌｅｍｅｎｔｅｄ　ｏｎ　ｔｈｅ　Ｐｒｅｘ　ｌａｓｓ　ｉｅｃｅ　ｂｆｉｎｅ　ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　ｍａｃｈｉｎｉｎａｎｄｐｙｇｐｙ　ｇ　ｔｈｅ　ｗａｆｅｒ－ｌｅｖｅｌ　ｖａｃｕｕｍ　ａｎｄ　ｅｌｅｃｔｒｉｃ　ｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ　ｏｆ　ｔｈｅ　ｒｅｓｏｎａｔｏｒｓ　ｗｅｒｅ　ａｃｈｉｅｖｅｄ　ｗｉｔｈ　ＳＯＩ－ａｃｋａｉｎｐｇｇ　ｌａｓｓ　ａｎｏｄｉｃ　ｂｏｎｄｉｎ．Ｅｘｅｒｉｍｅｎｔａｌ　ｒｅｓｕｌｔｓ　ｄ