集成电路工艺技术培训教材.pptxVIP

集成电路工艺技术讲座第六讲;外延技术讲座提要;一、外延工艺简述;2.外延的优点;CMOS电路的latch-up效应用重掺衬底加外延可以减小这效应;3.外延沉积的原理;4.外延工艺过程;5.HCL腐蚀的作用;6.外延掺杂;掺杂计算 ρTest/ρTarget = DNTarget/ DNTest 实际的修正 由于有自掺杂因此实际掺杂量还应减去自掺杂的量;7.外延参数测定;缺陷的显示;2)电阻率测试;Srp还可测浓度(或电阻率)与结深的关系，可看过渡区宽度，是一个很好的分析测试手段;3)厚度测试;二、外延的一些关键工艺;;外延图形漂移的测定;用滚槽法测shift;由于漂移.使光刻套准差.造成电学性能变差;案例分析7800上下片因温度不均匀造成shift不同,引起电学参数不同。;2.图形畸变Distortion;SHIFT;外延后图形严重畸变对于(111)晶片,取向对畸变影响很大;轻微畸变使图形边缘模糊，使光刻困难;硅源中氯原子的含量上对shift的影响;温度对shift的影响;生长速率对shift的影响;减少畸变和漂移的方法;2. 掺杂与自掺杂;外延过程自掺杂的停滞层解释;外延过程中气流和杂质的走向;具体案例： 重掺衬底使外延电阻率降低;不同的加热方式可以产生不同的自掺杂结果;外延的过渡区;以P/P+为例减少自掺杂的试验;减少自掺杂的方法;3.外延表面缺陷;1)层错;表面颗粒:与外延系统及衬底的清洁度有关，下图是用表面沾污仪测试结果;表面呈乳凸状小丘：产生原因与衬底取向有关，与(111)取向偏离小于1o;(111)硅片的滑移线;滑移线;外延后埋层图形变粗糙与外延的气氛及埋尽的表面状变有关;外延系统有轻微漏气外延后有轻微白雾下图是经铬酸腐蚀后看到的层错和雾;类似三角形缺陷;4.减压外延;压力与过渡区的关系;压力对图形漂移的影响;压力与过渡区宽度;三.外延设备简介;不同外延炉的结构;当前常见几种外延炉优缺点比较;AMC7810;;;;;2.各类外延炉的优缺点;2)筒式中低频加热LPE2061S;;红外加热的筒式外延炉AMC MTC;各炉子性能比较;大直径硅片外延炉; AMC CENTRORA;ASM EPSION-2;各大直径硅片外延炉的生产能力;-g-2;单片外延炉的一些优点;外延工艺及设备的展望;补充;例如感应线圈下面有锈可能造成铁离子沾污铁;9??春去春又回，新桃换旧符。在那桃花盛开的地方，在这醉人芬芳的季节，愿你生活像春天一样阳光，心情像桃花一样美丽，日子像桃子一样甜蜜。12月-2012月-20Friday, December 4, 2020 10、人的志向通常和他们的能力成正比例。16:35:2716:35:2716:3512/4/2020 4:35:27 PM 11、夫学须志也，才须学也，非学无以广才，非志无以成学。12月-2016:35:2716:35Dec-2004-Dec-20 12、越是无能的人，越喜欢挑剔别人的错儿。16:35:2716:35:2716:35Friday, December 4, 2020 13、志不立，天下无可成之事。12月-2012月-2016:35:2716:35:27December 4, 2020 14、Thank you very much for taking me with you on that splendid outing to London. It was the first time that I had seen the Tower or any of the other famous sights. If Id gone alone, I couldnt have seen nearly as much, because I wouldnt have known my way about. 。04 十二月 20204:35:27 下午16:35:2712月-20 15、会当凌绝顶，一览众山小。十二月 204:35 下午12月-2016:35December 4, 2020 16、如果一个人不知道他要驶向哪头，那么任何风都不是顺风。2020/12/4 16:35:2716:35:2704 December 2020 17、一个人如果不到最高峰，他就没有片刻的安宁，他也就不会感到生命的恬静和光荣。4:35:27 下午4:35 下午16:35:2712月-20