电子技术复习题(一)。.docxVIP

电子技术总复习 一、 填空 1．P 型半导体中的多数载流子是（空穴） ；N 型半导体中的多数载流子是（自由电子） 。 2．半导体二极管有硅管和锗管之分。硅二极管的正向导通电压为 0.6）~（0.8） V ，死区电压为（ 0.5 ） V ；锗二极管的正向导通电压为（ 0.2）~（0.3）V ，死区电压为（ 0.1 ）V 。 3．半导体二极管具有单向导电性。加（正）向电压时导通；加（反） 向电压时截至。硅二极管的正向导通电压为（ 0.6）~（0.8）V ；锗二极管的正向导通电压为（ 0.2）~（0.3）V 。 4．某稳压管的稳定电压 UZ=5V ，最大耗散功率 PZM =100mW ，则其最大稳电流 I ZM =（ 20） mA 。 5．某稳压管的稳定电压 UZ=6V ，最大稳定电流 I ZM =20mA，则其最 大耗散功率 PZM =（ 120）mW 。 6．晶体管有（集电 ）极、（ 基 ）极和（ 发射 ）极三个电极， 分别用字母（ C ）、（ B ）和（ E ）表示。 7．晶体管的输出特性曲线可分为（ 放大 ）区、（ 截止 ）区 和（ 饱和 ）区。晶体管处于放大区的条件是发射结（ 正 ）向偏 置，集电结（ 反 ）向偏置。 8．电子电路中的晶体管有放大、饱和截至三种工作状态。测得某电子电路中﹝ a﹞、﹝ b﹞、﹝ c﹞三个晶体管各极的电位如图所示。则晶体管﹝ a﹞工作于（饱和