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第一章半导体常规电学参数测试 二、少数载流子寿命测试方法及其测试原理 随着半导体材料的应用不断发展，促进了少数载流子寿命测试技术也在不断发展，从早期体材料的接触式测量，逐渐发展到片状材料的无破坏式、无接触式和无污染的在线检测，有利于其在生产中的广泛应用。方法也多种多样。 1、测试方法 （1）瞬态法或直接法;（2）稳态法或间接法 （1）瞬态法：利用电脉冲或光脉冲的一种方式，从半导体内激发出非平衡载流子，调制了半导体内的电阻，通过测量体电阻或样品两端电压的变化规律直接观察半导体材料中的非平衡少数载流子的衰减过程，从而测量其寿命。（光电导衰退法等） （2）稳态法：利用稳态光照的方法，使半导体材料中非平衡载流子的分布达到稳定状态，然后测量半导体中某些与寿命有关的物理量（如扩散长度）来推算少子的寿命。（扩散长度法、表面光电压法、光磁法等） （4）两探针法测准条件： a、探针头的接触半径保持在25μm； b、样品表面经喷砂或研磨处理； c、通电流的两端面接触为欧姆接触，用镀镍或镀铜或超声波焊接； d、样品电流不易过大，E≤1V/cm,测量低阻单晶时注意电流不能过大，避免热效应。（样品的电阻率会随着温度的升高而升高） 2、四探针法 （1）四探针法测电阻率的示意图和计算公式 如图所示，将距离为1mm的四根探针压在样品上，并对外面两根探针通以恒流电流，在中间两根探针连接电位差计测量其电压降，然后根据以下公式进行计算： C---四探针的探针系数 （2）四探针法测电阻率的基本原理 假设半导体样品为半无穷大，且在此平面上有一点电流源，如图所示，则在以点电流源为球心的任一半径（r）的半球面上，任一点的电流密度相等为： 式中，I为点电流源的强度， 是半径为r的半球等位面的面积。 由于P点的电流密度与该点的电场强度E存在以下关系： 因此，由以上两式得 设无穷远处电位为0（电流流入半导体）， 则P点处的电位可以表示为 如图所示，四个探针位于样品中央，如果电流从探针1流入，探针4流出，则可以把探针1和4认为是两个点电流源。 则，根据叠加原理及以上半球面的电位公式得到探针2,3的电位分别为 因此，探针2,3之间的电位差为 由上式可得样品的电阻率为 若四个探针在同一直线上，间距分别为s1,s2,s3如图所示，则有 若s1=s2=s3=s,则有 由以上两公式以及公式 可得探针系数为 实际测量中为了直接读数，一般设置电流的数值等于探针系数的数值，如探针间距为S=1mm,则C=2πS=0.628cm,若调节恒流I=0.628mA，则由，2,3探针直接读出的数值即为样品的电阻率。 （3）四探针测试仪器（KDY-1A) 电流、电压数字表 电流量程:1mA/10mA 电阻/电阻率 测试/校准 电流调节旋钮（微调） 电流调节旋钮（粗调） 使用方法： 1）打开测试仪电源开关，指示灯。 2）将样品放在放在测试平台上，调节上下位置，使与探针样品接触松紧适度。 3）先将电流换档置“1mA”档,将ρ/R置于“ρ”档，将校准/测量置于“校准”档。调节电流（S＝1mm）： 电流换档置“1mA”档时，调节数值为62.8；电流换档置“10mA”档时，调节数值为6. 28. 4）将校准/测量置于“测量”档，进行读数。 5在距表面边缘4倍针距内分别测量5组数据，取平均值。 ?主要参数 （1）可测量? 电阻率：0.01～199.9Ω.cm。?可测方块电阻：0.1～1999Ω/口?当被测材料电阻率≥200Ω.cm数字表显示0.00。 ?（2）恒流源：?输出电流：DC? 0.1mA～10mA分两档1mA量程：0.1～1mA? 连续可调10mA量程：1mA ～10mA连续可调 (4)四探针法测量电阻的侧准条件和测试工艺要求： 1）样品表面 a)为了增大表面复合，降低少子寿命，从而减小少子注入的影响，试样测量表面一般要求经过粗砂研磨或喷砂处理。 b)要求试样表面具有较高的平整度，且样品厚度以及任一探针距样品边缘的距离必须大于4倍针距，以满足近似无穷大的测试条件。 c)各测试点厚度与中心厚度的偏差不应大于±1%。 2）测试探针 a）选择合适的材料作探针，目前一般使用钨丝、碳化钨等材料。 b）要求探针的间距不宜过大，要保证测试区内电阻率均匀，因此一般为1-2mm.探针要在同一直线上。 c）对探针与样品之间接触要求有一定的接触压力和接触半径，以减小少子注入的影响，一般选取压力1.75-4N，接触半径小于50μs,且每次测量压力保持一致，确保测量的重复性和准确性。 d)探针的游移度保证小于2%,确保测量的重复性和准确性。 3）测试电流 在测量过程中，通过样品的电流从两方面影响电阻率：