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　　中科院研究生院研究生研究生入学考试 　　《半导体物理》考试大纲 　　本《半导体物理》考试大纲合用于中华人民共和国科学院研究生院微电子学与固体电子学专业研究生研究生入学考试。半导体物理学是当代微电子学与固体电子学重要基本理论课程，它重要内容涉及半导体晶格构造和电子状态;杂质和缺陷能级;载流子记录分布;载流子散射及电导问题;非平衡载流子产生、复合及其运动规律;半导体表面和界面─涉及p-n结、金属半导体接触、半导体表面及MIS构造、异质结;半导体光、热、磁、压阻等物理现象和非晶半导体某些。规定考生对其基本概念有较进一步理解，可以系统地掌握书中基本定律推导、证明和应用，并具备综合运用所学知识分析问题和解决问题能力。 　　一、考试内容 　　(一)半导体电子状态： 　　半导体晶格构造和结合性质，半导体中电子状态和能带，半导体中电子运动和有效质量，本征半导体导电机构，空穴，回旋共振，硅和锗能带构造，III-V族化合物半导体能带构造，II-VI族化合物半导体能带构造 　　(二)半导体中杂质和缺陷能级： 　　硅、锗晶体中杂质能级，III-V族化合物中杂质能级，缺陷、位错能级 　　(三)半导体中载流子记录分布 　　状态密度，费米能级和载流子记录分布，本征半导体载流子浓度，杂质半导体载流子浓度，普通状况下载流子记录分布，简并半导体 　　(四)半导体导电性 　　载流子漂移运动，迁移率，载流子散射，迁移