工艺晶体外延生长技术课件.pptx

;第四单元：薄膜技术;第8章： 晶体外延生长技术;;;8.1外延层的生长 8.1.1生长的一般原理和过程 SiCl4的氢化还原——成核——长大 ;一般认为反应过程是多形式的两步过程 如: (1) 气相中 SiCl4+H2=SiCl2+2HCl 生长层表面 2SiCl2=Si+SiCl4 (2) 气相中 SiCl4+H2=SiHCl3+HCl 生长层表面 SHiCl3+H2=Si+3HCl;;在(111)面上生长,稳定的是双层面,位置7、8、9比位置1、2、3、4稳定;在一定的衬底温度下，1、2、3、4位的原子很容易扩散（游离）到7、8、9相应的位置，使生长迅速在横向扩展。 即，可看成是多成核中心的二维生长。 如：1200°C时 V（111）~几百埃/分 V（112）~几百微米/分;8.1.2生长动力学(14.2, 14.3) 与热氧化过程不同的是，外延时只有气相质量转移过程和表面吸附（反应）过程。;因而，气相外延是由下述步骤组成的多相过程 1）反应剂分子以扩散方式从气相???移到生长层 表面 2）反应剂分子在生长层表面吸附； 3）被吸附的反应剂分子在生长层的表面完成化 学反应，产生硅原子及其它副产物； 4）副产物分子丛表面解吸； 5）解吸的副产物以扩散的形式转移到气相，随 主气流排出反应腔； 6）反应所生成的硅原子定位于晶格点阵，形成 单晶外延层；;;因而在反应剂浓度较小时有：;1）生长速率和反应剂浓度的关系——正比 （a）！（b）、（c）？;2）生长速率与外延温度的关系 对于SiCl4，Ea~1.9eV SiH4，Ea~ 1.6eV DG0：0.1~1cm2s-1 a：1.75~2 ;在较高温度下：kShG 质量转移控制 在较低温度下：kShG 表面反应控制;在高温段（质量转移控制）生长速率受温度影响小，便于控制（可为±10°C）;3）生长速率与衬底取向的关系 v(110)v(100)v(111) ? 4)气相质量转移 进一步分析可得： 由这一公式可得出什么？;8.1.3 外延堆垛层错 CCAAAAAAAAAAAAACC BBBCCCCCCCCCCCCCBBB AAABBBBBBBBBBBAAAAA CCCAAAAAAAAACCCCC BBBBCCCCCCCCCBBBBB AAAAABBBBBBBAAAAAA CCCCCCAAAAACCCCCCC BBBBBBBBCCCBBBBBBBB AAAAAAAABAAAAAAAAA ;;; 层错(失配晶核)产生的原因：晶面的缺陷(机械损伤、位错、微缺陷、氧化斑点、杂质沉陷区)和表面污染（灰尘、杂质等），气体和反应剂的纯度不够，温度过低或起伏过大，生长速率过快等。 HCl汽相抛光;8.2（汽相）外延生长工艺 8.2.1 外延层中的掺杂 在外延反应剂中加入掺杂剂 （如：PH3、PCl3、PCl5、AsCl3、AsH3、SbCl3、SbH3和BBr3、BCl3、B2H6等）;1）掺杂浓度受汽相中的掺杂剂分气压控制 ;2）生长速率和温度的影响 为什么温度升高会使浓度降低？;Silicon Vapor Phase Epitaxy Reactors;;;8.2.2 外延过程中的杂质再分布和自掺杂 ;1）衬底杂质的再分布N1 （见page 228） 在外延区： 时（一般都成立） 2）掺入杂质的再分布 总分布为：N=N1+N2;3）自掺杂（autodoping）效应 衬底中的杂质不断地蒸发出来，进入总气流