《电子技术》电子教案 第1A章.pptVIP

退出 晶体管 主要要求： 了解半导体晶体管的结构、类型与参数 掌握半导体晶体管的电流分配关系 掌握半导体晶体管的特性曲线的含义 理解晶体管的放大作用 了解复合晶体管的概念与意义 退出 晶体管的结构 晶体管的结构和类型 N N P 发射极 E 基极 B 集电极 C 发射结 集电结 — 基区 NPN 型 E C B 三区 三极 两结 集电区 基区 发射区 集电极 Collector 基极Base 发射极Emitter 集电结 发射结 — 集电区 — 发射区 P P N PNP型 常见三极管的外形与实物 退出 下面以NPN管为例讨论晶体管的电流分配与放大作用，所得结论一样适用于PNP三极管。 1.3.2 晶体管的基本工作原理 注意：晶体管放大的条件 内部 条件 发射区掺杂浓度高 基区薄且掺杂浓度低 集电结面积大 外部 条件 发射结正偏 集电结反偏 晶体管电流关系实验电路 1.晶体管的电流分配关系 1.晶体管的电流放大作用 三极管的电流放大作用 退出 晶体管电流分配和放大作用 正偏使发射结 使集电结反偏 1.发射区向基区发射电子，形成发射极电流IE的主要成份。 IE 2.基区中电子的复合形成基极电流IB的主要成份。 IB 3.集电区收集电子形成集电极电流IC的主要成份。 IC 退出 综上所述，得到三极管的电流分配关系： （1）IE=IC+IB （2）IC=βIB （3）IE=IC+IB =（1+ β ）IB≈ IC 晶体管中还有一些少子电流，比如ICBO ，通常可以忽略不计，但它们对温度十分敏感。 退出 1.3.3 晶体管的特性曲线 晶体管有三个电极，因此，分别将三极管的三个电极作为输入端、输出端和公共端，有三种不同的三极管电路的组成方式。根据公共电极的不同，分别叫做共发射极电路、共集电极电路和共基极电路。 第 1 章　基本半导体分立器件 本章点睛 各种基本电子器件 能完成某种功能的电子电路 复杂的电子电路系统 《电子技术》尹常永主编  问题1：这一章要学什么呢? 问题2：“分立”是什么意思？ 问题3：顾名思义，半导体器件一定是由半导体材料制成的，为什么其他材料，比如说导体不能作为构成电子器件的主要材料呢？ 在进行本章的学习之前，先来看看下面的3个问题。 退出 二极管 半导体基础知识与PN结 晶体管 场效应管 本章小结 退出 半导体基础知识与PN结 主要要求： 了解半导体材料的基本知识 理解关于半导体的基本概念 理解PN结的形成 掌握PN结的单向导电作用 退出 常用的半导体材料有硅（Si）和锗（Ge），高纯度的硅和锗都是单晶结构，它们的原子整齐地按一定规律排列，原子间的距离不仅很小，而且是相等的。把这种纯净的、原子结构排列整齐的半导体称为本征半导体。 本征半导体 硅和锗的外层价电子都是4个，所以都是4价元素，右图是硅和锗的原子结构示意图。 （a）硅原子结构 （b）锗原子结构 退出 这四个价电子不仅受自身原子核的束缚，还受到相邻原子核的吸引，从而形成了共价键结构，如下图所示： 价电子（热激发） 自由电子-空穴对 （1）温度越高，自由电子-空穴对数目越多； （2）自由电子-空穴数目相等，对外不显电性。 硅（锗）原子在晶体中的共价键排列 复合 平衡 1.本征激发与复合 退出 2.自由电子运动与空穴运动 I=In（电子电流）+Ip（空穴电流） IN IP 外电路中的电流 I 退出 本征半导体实际使用价值不大，但如果在本征半导体中掺入微量某种杂质元素，就形成了广泛用来制造半导体元器件的N型和P型半导体。 杂质半导体 根据掺入杂质的不同掺杂半导体可以分为 N型半导体 P型半导体 退出 （1）N型半导体——杂质为少量5价元素，如磷（P）； （2） P型半导体——杂质为少量3价元素，如硼（B）。 杂质半导体 N 型 磷原子 自由电子 自由电子——多数载流子 空穴——少数载流子 载流子数 ? 电子数 P 型 硼原子 空穴 空穴 —— 多子 自由电子 ——少子 载流子数 ? 空穴数 退出 注意： 无论是N型还是P型半导体都是电中性，对外不显电性！！！ 退出 1.1.3 PN结形成与单向导电性 什么是PN结？ PN结是P型与N型半导体区域交界处的特殊带电薄层，具有特殊的单向导电性，是半导体元器件制造的基础单元。 退出 1.1.3 PN结形成与单向导电性 载流子浓度差 复 合 (耗尽层) 内电场 阻碍多子扩散帮助少子漂移 扩散漂移动态平衡 注