《模拟电子技术》第2章3场效应管放大器与单管放大总结.pptx

第二章3场效应管放大电路单管放大器总结 单管放大器总结 场效应管的分类（P49） 按工艺结构分两类：结型和绝缘栅型（MOS） 按沟道材料分两类：N沟道和P沟道 按导电方式分两类：耗尽型与增强型。 共有6类： 结型管只有耗尽型： 结型耗尽型N沟道 结型耗尽型P沟道 绝缘栅型（MOS）既有耗尽型，又有增强型： N沟道耗尽型 N沟道增强型； P沟道耗尽型 P沟道增强型 1 2 3 4 5 6 增强型: UG=0,ID=0 (类电子管) 均为 耗尽型 耗尽型: UG=0,ID≠0 (类PN结) 类PN结 场效应三极管型号命名方法(两种) 第一种命名方法（与双极型三极管相同）： 第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。 第二位字母代表材料，D是P型硅N沟道；C是N型硅P沟道。 例如,3DJ6D是结型P沟道场效应三极管，3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。 第二种命名方法（CS××#）： CS代表场效应管， ××以数字代表型号的序号， #用字母代表同一型号中的不同规格。 例如CS14A、CS45G等 场效应管的参数 1、IDSS — 饱和漏源电流：栅极电压UGS=0时的漏源电流（结型或耗尽型绝缘栅场效应管） 2、UP — 夹断电压：漏-源间刚截止时的栅极电压（结型或耗尽型绝缘栅场效应管） 3、UT — 开启电压：漏源间刚导通时的栅极电压（增强型绝缘栅场效管） 4、gM — 跨导：栅源电压UGS 对漏极电流ID的控制能力（即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值）。是衡量场效应管放大能力的重要参数。 5、BUDS — 漏源击穿电压（极限参数）：栅源电压UGS一定时，场效应管正常工作所能承受的最大漏-源电压。（重要极限参数：场效应管的工作电压必须小于BUDS！） 6、PDSM — 最大耗散功率（极限参数）：令场效应管性能正常所允许的最大漏-源耗散功率。（场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量！） 7、IDSM — 最大漏源电流（极限参数）： 场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流（场效应管的工作电流不允许超过IDSM）。 一、场效应管（以结型N沟道为例） 场效应管有三个极：源极（s）、栅极（g）、漏极（d），对应于晶体管的e、b、c；有三个工作区域：截止区、恒流区、可变电阻区，对应于晶体管的截止区、放大区、饱和区。 1. 结型场效应管 导电沟道 单极型器件∶噪声小、抗辐射能力强、低电压工作 栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用 沟道最宽 uGS可以控制导电沟道的宽度。为什么g-s必须加负电压？ UGS（off） 漏-源电压对漏极电流的影响 uGS＞UGS（off）且不变，VDD增大，iD增大。 预夹断 uGD＝UGS（off） VDD的增大，几乎全部用来克服沟道的电阻，iD几乎不变，进入恒流区，iD几乎仅仅决定于uGS。 场效应管工作在恒流区的条件是什么？ uGDUGS（off） uGDUGS（off） 夹断电压 漏极饱和电流 转移特性 场效应管工作在恒流区，因而uGS＞UGS（off）且uGD＜UGS（off）。 uDG＞－UGS（off） g-s电压控制d-s的等效电阻 输出特性 预夹断轨迹，uGD＝UGS（off） 可变电阻区 恒 流 区 iD几乎仅决定于uGS 击 穿 区 夹断区（截止区） 不同型号的管子UGS（off）、IDSS将不同。 低频跨导： 跨导乃电阻的倒数，毫安/伏（MA/V）与毫西（mS）表示的是一样的量纲 2. 绝缘栅型场效应管 uGS增大，反型层（导电沟道）将变厚变长。当反型层将两个N区相接时，形成导电沟道。 SiO2绝缘层 衬底 反型层 大到一定值才开启 增强型MOS管uDS对iD的影响 用场效应管组成放大电路时应使之工作在恒流区。N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是什么？ iD随uDS的增大而增大，可变电阻区 uGD＝UGS（th）,预夹断 iD几乎仅仅受控于uGS，恒流区 刚出现夹断 uGS的增大几乎全部用来克服夹断区的电阻 耗尽型 MOS管 耗尽型MOS管在 uGS＞0、 uGS ＜0、 uGS ＝0时均可导通，且与结型场效应管不同，由于SiO2绝缘层的存在，在uGS＞0时仍保持g-s间电阻非常大的特点。 加正离子 小到一定值才夹断 uGS=0时就存在导电沟道 MOS管的特性 1)增强型MOS管 开启电压 夹断电压 利用Multisim测试场效应管的输出特性 从输出特性曲线说明场效应管的哪些特点？ 场效应管放大电路 3. 场效应管的分类工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性 耗尽型栅极可反偏(可正偏) 均有ID：UG=0,ID≠0 漏极加正电压 漏极加负电