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图 图1 诚信应考，考试作弊将带来严重后果! 华南理工大学期末考试 《电力电子技术基础》试卷 题号 一 二 三 四 五 总分 得分 评卷人 注意事项：1.考前请将密封线内填写清楚； 2. 所有答案请直接答在试卷上（或答题纸上）； 3 .考试形式：闭卷； 4. 本试卷共 大题，满分100分，考试时间120分钟。 选择题（单选，共10分） .关于绝缘栅双极型晶体管 （IGBT）,下面说法错误的是（A ） IGBT相比MOSFET,其通态电阻较大，因而导通损耗也较大 IGBT是由MOSFET和GTR复合而制成的 IGBT工作在开关状态时，是在正向阻断区和饱和区之间转换 2. 3. 4. 5. D,