高二物理专题练习4.通电导线受安培力作用问题分析.docxVIP

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  • 2021-08-14 发布于山东
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高二物理专题练习4.通电导线受安培力作用问题分析.docx

高二物理专题练习4.通电导线受安培力作用问题分析 高二物理专题练习4.通电导线受安培力作用问题分析 高二物理专题练习4.通电导线受安培力作用问题分析 第 4 课时 通电导线受安培力作用问题剖析 一. 知识点: 安培力作为通电导体所受的外力参加受力剖析,产生了通电导体在磁场中的均衡、加快及做功问题,这种问题与力学知识联系很密切,解题时把安培力等同于重力、弹力、摩擦力等性质力;对物体进行受力剖析时,注意安培力大小和方向确实定;求解时注意对力学中静力学、动力学及功和能等相关知识的综合应用. “电学识题,力学方法” 与闭合电路欧姆定律相联合的题目,主要应用: 闭合电路欧姆定律; (2) 安培力公式 F= ILB ; (3) 物体均衡条件.【例 1】如图,直线 ab 质量不计,放在水平平行的圆滑轨道上,匀强磁场 竖直向下, ab 长 10cm,当对 ab 施加一个大小为 0.04N 水平向左的外力时,已知电源内阻为 1Ω, R1=8 Ω,棒 ab 电阻为 4Ω,求:电源的电动势的大小。 2.受安培力的均衡问题: 在安培力作用下的物体均衡的解决步骤和前面学习的共点力均衡相像,一般也是先进行受力剖析,再依据共点力均衡的条件列出均衡方程,此中重要的是在受力剖析过程中不要遗漏了安培力. 会画从某角度看的正视图: 【例 3】如下图,金属杆 ab 的质量为 m,长为 L ,经过的电流为 I ,处 在磁感觉强度为 B 的匀强磁场中, 结果 ab 静止在水平导轨上。 若磁场方 向与水平导轨成 θ 角,求: 1)棒 ab 遇到的摩擦力; 2)棒对导轨的压力。  B=0.2T ,方向 ab 恰巧静止, B a θ b 【例 4】在倾斜角为 θ 的圆滑斜面上,置一通有电流 I ,长为 L ,质 量为 m 的导 体棒,如 图所示,在竖直向上的磁场中静止,则磁感觉强度 B 为 _________. 引申 1:欲使它静止在斜面上 , 外加磁场的磁感觉强度 B 的最小值为 ________, 方向 ________. 引申 2:欲使它静止在斜面上 ,且对斜面无压力 , 外加磁场的磁感觉强度 B 的最小值为 _________, 方向 ________. 引申 3:剖析棒有可能静止在斜面上且要求磁感觉强度垂直 L 时,应外加磁场的方向范 围。 【例 5】质量为 m= 0.02 kg 的通电细杆 ab 置于倾角为 θ = 37°的平 行搁置的导轨上,导轨的宽度 d=0.2 m ,杆 ab 与导轨间的动摩擦因 数μ = 0.4 ,磁感觉强度 B=2 T 的匀强磁场与导轨平面垂直且方向向 下,如下图.现调理滑动变阻器的触头,试求出为使杆 ab 静止不 动,经过 ab 杆的电流范围为多少? 【例 6】下列图所示的天平可用来测定磁感觉强度。天平的右臂下边挂有一个矩形线圈,宽为 L ,共 N 匝,线圈的下部悬在匀强磁场中,磁场方向垂直纸面。当线圈中通有电流 图 )时,在天平左、右两边加上质量各为 m1、 m2的砝码,天平均衡。当电流反向 变 )时,右侧再加上质量为 m 的砝码后,天平从头均衡。由此可知 ( ) (A) 磁感觉强度的方向垂直纸面向里,大小为 (m 1 -m2 )g/NI L (B) 磁感觉强度的方向垂直纸面向里,大小为 mg/2NI L (C) 磁感觉强度的方向垂直纸面向外,大小为 (m 1 -m2 )g/NI L (D) 磁感觉强度的方向垂直纸面向外,大小为 mg/2NI L  I( 方向如 (大小不 【例 7】如下图 , 圆滑的平行导轨倾角为 θ , 处在磁感觉强度为 B 的竖直匀强磁场中 , 导轨中接入电动势为 E、内电阻为 r 的直流电源 , 电路中除电阻 R 外其他电阻不计 . 将质量为 m、长度为 L 的导体棒由静止 开释 , 求导体棒在开释的刹时加快度的大小 ? 3.安培力作用下的功和能问题 【例 8】如下图 , 在水平搁置的的平行导轨一端架着一根质量 m=0.4kg 的金属棒 ab, 导轨另一端经过电键与电源相连 . 该装置放在高 h=20cm 的绝缘垫块上 . 当有竖直向下的的匀强磁场时 , 接通电键 , 金属棒 ab 会被抛到距导轨右 端水平 s=100cm 处 . 试求电键接通后安培力对金属棒做的功 . 第 7 课时 通电导线受安培力作用问题剖析 参照答案 【例 1】 E=11V ; s vt (1) 【例 2】 棒走开轨道做平抛 ; 1 gt 2 (2) h 2 K 从接通到棒走开,由动量动量: BIL t mv 0 (3) 又 Q I t (4) g Q ms 2h 【例 3】( 1) f=BILsin θ ; 2) N=mg-BILcos θ ; 【例 4】B mg tan ; IL mg sin 引申 1:

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