电子技术基础,单选.docxVIP

下载可编辑 下载可编辑 . .专业.整理. 试题代码 题型：-- 分值：-- 难度系数：-- 能力层次：-- 题目内容 答案：-- 0101001题型：01分值：2.0 难度系数：0.3 能力层次：识记 本征半导体中的自由电子浓度和空穴浓度的关系为 （） c A.自由电子浓度大于空穴浓度 B.自由电子浓度小于空穴浓度 二者相等 答：[C] 0101002题型：01 分值：2.0 难度系数：0.5 能力层次：识记 本征半导体中的自由电子浓度和空穴浓度 （） A.大于 B. 小于 C. 等于 D. 不确定 答: [C] 0101003题型：01 分值：2.0 难度系数：0.4 能力层次：识记 在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于 （） A.温度 B. 材料 C. 掺杂工艺 D. 掺杂浓度 答：[C] 能力层次：识记0101004题型：01 分值：2.0 难度系数：0.5 能力层次：识记 在掺杂半导体中，少子的浓度受 （） 的影响很大。 A.温度 B. 掺杂工艺 C.掺杂浓度 D. 材料 答：[A] 能力层次：识记0101005题型：01 分值：2.0 难度系数：0.3 能力层次：识记 当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流将 （） A.增大 B. 减小 C. 不变 D. 不确定 答：[A] 0102001题型：01分值：2.0 难度系数：0.5 能力层次：识记 硅二极管的完全导通后的管