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第九章第九章 半导体材料分析方法半导体材料分析方法 第九章第九章 半导体材料分析方法半导体材料分析方法 §9.1 衍射分析方法 ：XRD 、RHEED 、LEED §9.2 表面显微技术 ：SEM、AFM 、STM §9.3 光学分析方法：光学显微镜、椭偏仪、反射光谱和吸收光谱、FTIR 、 Raman 、PL谱 §9.4 其它方法：XPS 、SIMS §9.1 衍射分析方法 X射线衍射 （XRD ） Bragg公式： 晶粒尺寸可由Scherrer公式得到： Kλ D = β cosθ Bragg角 半高宽 反射高能电子衍射 （RHEED） 10~100 KeV 二维表面 RHEED 可以测量表面晶格常数 （Square Lattice ）： 低能电子衍射 （LEED） 由于表面原子的散射截面很大由于表面原子的散射截面很大，起散射作用的主，起散射作用的主 由于表面原子的散射截面很大由于表面原子的散射截面很大，，起散射作用的主起散射作用的主 要是表面第一层原子要是表面第一层原子 ，作为近似，作为近似 ，可按二维散射，可按二维散射 要是表面第一层原子要是表面第一层原子 ，，作为近似作为近似，，可按二维散射可按二维散射 考虑考虑 。对于一维原子链对于一维原子链 ，则相邻原子间的光程差，则相邻原子间的光程差 考虑考虑 对于一维原子链对于一维原子链 ，，则相邻原子间的光程差则相邻原子间的光程差 等于波长的整数倍时等于波长的整数倍时，散射波发生衍射，散射波发生衍射 。对于垂对于垂 等于波长的整数倍时等于波长的整数倍时，，散射波发生衍射散射波发生衍射 对于垂对于垂 直入射的电子直入射的电子，则衍射条件为，则衍射条件为：： 直入射的电子直入射的电子，，则衍射条件为则衍射条件为：： acosθθ = hλλ，， h=0, ±±1, ±±2, …… θθ λλ，， ±± ±± h 表明衍射方向处在与轴线成表明衍射方向处在与轴线成θθ 的圆锥面上的圆锥面上 表明衍射方向处在与轴线成表明衍射方向处在与轴线成θθ 的圆锥面上的圆锥面上 hh hh 如果荧光屏位于电子枪的同一方如果荧光屏位于电子枪的同一方，且是以衍射栅为球心的一个球面，且是以衍射栅为球心的一个球面，则衍射圆锥和荧光屏，则衍射圆锥和荧光屏 如果荧光屏位于电子枪的同一方如果荧光屏位于电子枪的同一方，，且是以衍射栅为球心的一个球面且是以衍射栅为球心的一个球面，，则衍射圆锥和荧光屏则衍射圆锥和荧光屏 的交线是一组直的交线是一组直 ，间距为，间距为rrλλ/a，/a，rr是荧光屏的半径是荧光屏的半径。。 的交线是一组直的交线是一组直 ，，间距为间距为rrλλ/a/a，，rr是荧光屏的半径是荧光屏的半径。。 对于二维网格对于二维网格，设二维网格单元是长方形，设二维网格单元是长方形，x，x 对于二维网格对于二维网格，，设二维网格单元是长方形设二维网格单元是长方形，，xx 方向间距为方向间距为a，a，yy方向的间距为方向的间距为b。b 。对垂直入射对垂直入射 方向间距为方向间距为aa，，yy方向的间距为方向的间距为bb 。。对垂直入射对垂直入射 的情况的情况，在，在xx方向发生衍射的同时方向发生衍射的同时 ，在，在yy方向方向 的情况的情况，，在在xx方向发生衍射的同时