片状氧化铝（平板状氧化铝）微粉在半导体单晶硅研磨中的应用.docxVIP

片状氧化铝（平板状氧化铝）微粉应用于半导体单晶硅片研磨 片状氧化铝是近年来出现的一种性能优良的功能微粉材料，它属于α-Al2O3，具有明显的鳞状结构特征和较大的径厚比。目前，片状氧化铝晶粒的径向尺度一般为5-50 μm，厚度一般在100-500 nm之间，晶型发育良好的微粒还表现出规则的六角形貌. 氧化铝有多种不同的类型，常规的氧化铝与其他金属氧化物一样，本身的硬度大，熔点高，机械强度好，且耐腐蚀抗氧化。而片状氧化铝还因其独特的片状结构和晶体形状，从而具备了微米粉体和纳米材料的双重特性。与大多数天然的基体材料相比，通过人工方法合成的片状氧化铝微粉的径厚比例可调，并且具有纯度高，表面平整光滑，在水中分散性良好的优点。工业级的片状氧化铝粉体的粒径大小可以达到微米尺寸，厚度更是达到了纳米级或接近纳米尺度。这不仅使它具有显著的光线反射能力和屏蔽效应，还使其体现出了良好的表面活性和优越的附着力。 对于蓬勃发展的材料加工行业来说，无论是精致材料抛光，还是电子产品的细致打磨，都离不开性能优良的磨料。目前国内市面上还多采用SiO2磨料抛光液，与SiO2硬度较小、抛光速率低相比， 片状氧化铝具有坚硬的晶体结构和平齐的板状结构，粉体微粒排列整齐，可以使磨料与产品间的磨擦力增大，加快了磨削速度，可以大大缩减工厂实际生产过程中磨片机的数量、人工成本和磨削时间。然而，常见的氧化铝磨料在实际使用中存在易划伤、抛光液不稳定等问题，因此，制备出具有形状规则，大小合适，且性能稳定的氧化铝颗粒是氧化铝抛光液得到广泛应用的基础。而与常规的纳米氧化铝相比，平整光滑的片形表面对于被磨对象(如半导体硅晶片，智能手机外壳等等)来说不易划伤，产品的合格品率可因此提高10%至15%。所以，片状氧化铝已经成为了高精密微电子行业，宝石加工业和金属陶瓷行业的新宠。 目前国内达到可规模生产片状氧化铝微粉的厂家并不多，淄博众力达新材料有限责任公司’s)一直致力于氧化铝研磨材料的开发，最近几年自主研发的片状氧化铝在半导体单晶硅片的研磨中得到客户的高度认同，他们生产的片状氧化铝单颗粒晶体厚度 1~2 微米，直径 8~25 微米，颗粒Na2O杂质含量低，氧化铝含量高，具有特殊的六边形片状结构，作为磨料使用在研磨抛光过程中能始终与被加工面处于面 - 面结合的状态，保证被加工面不被划伤 ；而六边形颗粒的侧面则充当“刀刃”，将被加工面上的突起部分刨去，达到研磨、抛光的效果，满足了硅晶片、电子平板玻璃等电子材料抛光的工艺要求。质量同日本 FUJIMI公司的PWA和美国Microgrit 的WCA相当。 平板状氧化铝抛光微粉 技术数据单（TDS） 平板状氧化铝抛光微粉呈独特的平板状结构，硬度高达莫氏九级。 【产品型号】 型号 粒度分布(μm) D0 D3 D50 D94 MCA50 95.0 63.0±3.5 42.5±2.5 26.0±2.0 MCA 45 87.5 57.0±3.2 36.0±2.3 23.5±1.8 MCA 40 80.4 45.0±2.8 31.0±2.0 20.5±1.5 MCA 35 64.0 37.6±2.2 25.5±1.7 17.0±1.5 MCA 30 50.8 31.2±2.1 21.5±1.5 15.5±1.3 MCA 25 40.3 26.3±1.9 17.4±1.3 11.4±1.1 MCA 20 32.0 22.5±1.6 14.5±1.3 9.0±0.8 MCA 15 25.4 16.0±1.2 10.5±0.8 6.7±0.5 MCA 12 20.2 12.8±1.0 8.4±0.6 5.6±0.5 MCA 9 16.0 9.7±0.8 6.4±0.6 4.2±0.4 MCA 5 12.7 7.2±0.6 4.7±0.5 3.4±0.4 MCA 3 10.1 5.3±0.4 3.1±0.4 2.7±0.4 【物化指标】 外观 颗粒形状 晶相 比重 熔点 莫氏硬度 白色 平板状 α 3.96 g/cm3 2020℃ 9.0 Al2O3 SiO2 Fe2O3 Na2O ＞99.00 ＜0.2 ＜0.1 ＜0.6 【适用范围】 光学材料，如玻璃、激光晶体、眼镜片等； 半导体材料，如硅，锗、砷等； 光电材料，如蓝宝石等； 金属材料，如铝合金，不锈钢等； 砂纸用砂。 【产品特点】 纯度高，达99%以上； 形状为片状，增大了摩擦力，导致磨削力强； 平板状不易产生划痕，可提高加工良率； 相对于其它氧化铝粉，用量少，性价比高。 【保存和包装】 置于阴凉处，避免日晒、雨淋，5-50℃下密封保存，保存期限24个月； 标准包装：10kg/袋，20kg/箱，也可根据客户要求进行包装。