实验二 晶体管伏安特性及温度特性.docVIP

PAGE 14 PAGE 15 实验二 晶体二极管的伏安特性及其温度特性 实验目的： 1．了解晶体二极管伏安特性曲线及其与温度的关系。 2．掌握Vj~T，Ir~T以及伏安特性与温度之间关系的测量方法。 3．掌握用图示仪测量各类晶体二极管的特性曲线及各项参数的测量方法。 4．了解晶体管特性图示仪的基本工作原理及使用方法。 一 实验原理 在同一块P型（或N型）硅半导体中，用扩散或合金方法将其中一部分掺入施主杂质（磷、镓）或受主杂质（硼、铝）使之由P型转变成为N型（或由N型转变成为P型）半导体，在P型区和N型区的交界处就形成了P—N结，如图一所示。 P N E P N (b) 图一 PN结的形成图 在P型半导体与N型半导体组合成为P—N结后，在P—N结的交界上就出现了电子和空穴的浓度差；N型区的电子浓度比较高，而P型区的空穴浓度比较高，电子和空穴都要从浓度高的地方向浓度低的地方扩散。因此有一些电子要从N型区向P型区扩散，也有一些空穴要从P型区向N型区扩散，电子和空穴都是带电的，它们扩散的结果就使P型和N型区中原来的电中性条件破坏了：在P—N结交界面附近，P型一边失去了带正电的空穴和接受了带负电的电子，因而带了负电。N型一边失去了带负电的电子和接受了带正电的空穴，因而带了正电。由于正负电荷之间的相互吸引，这些电荷将集中分布在P—N结的交界面附近，形成空间电荷区。 在出现空间电荷以后，电于正负电荷之间的相互作用，在空间电荷区中形成了一个内建电场，其方向是从带正电的N型区指向带负电的P型区的，如图一（b）所示。在电场出现以后，电子和空穴除了由于浓度不同继续作扩散运动外，还要在电场作用下作漂移运动。根据电场方向和电子空穴带电符号容易看出，这个电场将使空穴从N向P区漂移，使电子从P区向N区漂移，其作用正好与扩散运动相反，当漂移运动与扩散运动相等时，载流子的扩散作用与漂移作用完全抵消，N区和P区的空间电荷不再继续增多，这就达到P-N结的平衡状态。在平衡状态状态，内建电位差实际上就是不同半导体接触时的接触电位差。 由晶体管原理分析可知，对于一个具体的P—N结，在一定温度下的平衡P—N结接触电位差VB可由下式算出： 式中：k为玻尔兹曼常数，T为温度，Na和Nb为受主杂质浓度和施主杂质浓度，ni为本征载流子浓度。 由上分析可知，P—N结的势垒区中有内建电场，在这个电场作用下，电子和空穴都被排斥到两边去了，势垒中载流子极少而绝大部分是不能移动的杂质离子，因此P—N结的势垒区是一个高阻区（又称耗尽层或阻挡层）。势垒区的高度就等于qVB。 （一）P—N结的正向特性 P—N结加正向电压V，即P型一边接正，N型一边接负。如图二。这个电压与平衡P—N结的原来的内建电势差VB的方向正好相反，势垒高度将由VB减少为（VB-V），这样就打破了扩散运动和漂移运动的动态平衡，空间电荷区中载流子的扩散作用，将大于漂移作用，N区的电子不断扩散至P区，P区的空穴不断扩散到N区，扩散至P区的电子将在势垒边界处积累起来。然后这些少数载流子电子由于浓度梯度向P区纵深方向扩散，在扩散过程中不断与空穴复合。电子电流逐渐转化为空穴电流，经过一个电子扩散长度的距离后，电子基本上全部与空穴复合完毕。N区扩散至P区的电子电流完全转化为P区的空穴电流。同样，扩散至N区的空穴也在势垒边界处积累起来。然后这些少数载流子空穴由于浓度梯度向N区纵深方向扩散，在扩散过程中不断与电子复合，空穴电流逐渐转化为电子电流，经过一个空穴扩散长度的距离后，空穴基本上全部与电子复合完毕，P区扩散至N区的空穴电流完全转化为N区的电子电流，如图三所示。而总电流为空穴电流和电子电流之和。 显然，随着正向电压的增加，势垒高度将进一步降低，爬过势垒从N区向P区运动的电子和从P区向N区运动的空穴迅速增多，从而使P—N结的正向电流迅速增大，因此在正向电压作用下，通过P—N结的电流很大，表现出小电阻的特性。这就是二极管的正向特性，如图4所示。 根据晶体管原理分析可知：在忽略势垒区复合及小注入条件下，得到P—N结正向电流公式： （1） 其中:A~二极管P-N结面积, ~P区平衡少数载流子, ~电子扩散系数, ~电子扩散长度. ~N区平衡少数载流子, ~空穴扩散系数, ~空穴扩散长度。 由式（1）可知，当P—N结处于正向偏置时（即v0时）， e q v / KT1，则式（1）可改写为： （2） 根据=nn0 pn0 , =pp0