七模拟电流源和井.pptxVIP

七、 模拟集成电路设计 -------电流源、电流阱1、MOSFET的小信号等效模型2、gm、gds(ro)的含义和计算方法3、简易型电流源（阱）的电路结构和主要参数。4、级连偶合型（Casecode)电流源（阱）的电路 结构 和主要参数。5、威尔逊电流阱的电路结构和工作原理。6、镜像电路的版图处理方法。电流源/阱是 CMOS IC 设计中基本的组成模块.电流源/阱广泛应用于模拟电路设计中.理想情况下, 电流源/阱的输出阻抗是无穷大，并且在很宽的电压范围内输出/灌入的恒定电流.然而, 由于有限的输出电阻 Ro和受限的的输出摆幅(output swing) 要求保持MOSFET 晶体管工作于饱和区(saturation)等, 从根本上限制了基于 MOS 的电流源和电流阱的性能.为了简化电流源/阱的偏置, 最好将Vgs 设置成比VTH高数百毫伏，比如设Vgs=1.2V.1、MOSFET的小信号等效模型Small-Signal Model输入信号的幅度和电源电压相比很小, 它在直流偏置工作点附近的变化, 可近似认为工作在线性区间(如: ). MOS管的小信号模型可以直接从直流模型得出。大多数应用中, MOS管被偏置在饱和区工作。下面仅给出饱和区的小信号参数.沟道导纳gm, gmb和gds, 分别称为栅跨导, 衬底跨导, 漏电导, 定义如下:式中，Q表示在静态工作点的值.NMOS管的阈