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小功率电源中的 PSR 控制原理
先谈谈 CV 操作模式,现在大部分芯片都是直接取样辅助线圈上电压,
由于漏感的原因,在 MOS 关断后,也就是次级二极管导通瞬间,会产生一个
尖峰,影响电压采样,为了避开个这个尖峰,大部分厂家都是采用延时采机,
也就是在 MOS 管关断一段时间后再来采样线圈电压。从而避开漏感尖峰。 PI
是在高压开关关断 2.5 mu;s 采样。这种采样方式其实在以前很多芯片上的过
压保护上也都有应用,比如 OB2203 和 UCC28600 ,NCP1377 上都有这样的应
用,所以可以得到较高精度的过压保护。
还有些厂家是在下取样电阻上并一个小容量的电容来实现。同时建义大
家吸收电路使用恢复时间约只有 2us 的 IN4007 再串一个百欧左右的电阻作吸
收。可以减小漏感产生的振铃,从而减小取样误差。得到较高采样精度。次级
圈数固定,辅助绕组固定,取样精度高。比较器内部精度也高,自然可以得到
较高的输出电压精度。
先写个变压器的基本公式。 Np*Ipk=Ns*Ipks( 变压器次级只有一个绕组
Ns),Np,Ipk,Ns,Ipks 分别是初级圈数,初级峰值电流,次级圈数,次级峰值电流 .
当工作在 DCM 模式时,输出电流是次级电流 (如图的三角形 )在一个工
作周期的平均值,所以 Io=(Td/T)*Ipsk/2, 其中 T 为工作周期。
Np*Ipk=Ns*Ipks
所以 Ipks=Np*Ipk /Ns,
将 Ipks=Np*Ipk /Ns 代入 Io=(Td/T)*Ipsk/2 ,tips: 感谢大家的阅读,本文
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