宁波大学（博士）专业课真题2604半导体器件2016年.pdfVIP

宁波大学2016 年攻读博士学位研究生 (B ) ) 入 学 考 试 试 题 卷 (答案必须写在答题纸上 考试科目: 半导体器件 科目代码： 2604 适用专业: 微纳信息系统 一、判断题 （共 20 分，每题１分） 1. （ ）半导体材料的导电性能介于导体和绝缘体之间。 2. （ ）半导体中的电子浓度越大，则空穴浓度越小。 3. （ ）半导体中载流子低温下发生的散射主要是晶格振动的散射。 4. （ ）杂质半导体的电阻率随着温度的增加而下降。 5. （ ）半导体中杂质越多，晶格缺陷越多，非平衡载流子的寿命就越短。 6. （ ）非简并半导体处于热平衡状态的判据是 np n 。2 0 0 i 7. （ ）MOSFET 只有一种载流子 （电子或空穴）传输电流。 8. （ ）反向电流和击穿电压是表征晶体管性能的主要参数。 9. （ ）同一种材料中，电子和空穴的迁移率是相同的。 10. （ ）MOS 型的集成电路是当今集成电路的主流产品。 11. （ ）平衡 PN 结中费米能级处处相等。 12. （ ）能够产生隧道效应的 PN 结二极管通常结的两边掺杂都很重，杂质分布很陡。 13. （ ）位错就是由范性形变造成的，它可以使晶体内的一原子或离子脱离规则的周期 而位 移一段距离。 14. （ ）在某些气体中退火可以降低硅-二氧化硅系统的固态电荷和界面态。 15. （ ）高频下，pn 结失去整流特性的因素是 pn 结电容 16. （ ）pn 结的雪崩击穿电压主要取决于高掺杂一侧的杂质浓度。 17. （ ）要提高双极晶体管的直流电流放大系数α 、β值，就必须提高发射结的注入系数 和 基区输运系数。 18. （ ）二氧化硅层中对器件稳定性影响最大的可动离子是钠离子。 19. （ ）制造 MOS 器件常常选用[111]晶向的硅单晶。 20. （ ）场效应晶体管的源极和漏极可以互换，但双极型晶体管的发射极和集电极是不可 以 互换的。 二、名词解释 (共 30 分，每题 5分，给出关键词得 3分) 1．雪崩击穿 第 1 页 共 2 页 宁波大学2016 年攻读博士学位研究生 (B ) ) 入 学 考 试 试 题 卷 (答案必须写在答题纸上 考试科目: 半导体器件 科目代码： 2604 适用专业: 微纳信息系统 2．非平衡载流子 3．共有化运动 4．发光二极管 5．隧道二极管 6．耗尽层宽度W 三、分析题(共 50 分，每题 10分) 1、简单介绍近年来迅速发展的量子效应器件的基本原理和基本类型。 2、中村修二获得2014年诺贝尔物理学奖。请简述他的研究内容及意义。 3、画出可控硅的结构示意图，利用等效电路分析他的工作原理。 4、简述发光二极管和光电二极管传感器的异同。 15 3 5、计算 （1）掺入N 为1×10 个/cm 的施主硅，在室温 （300K）时的电子n 和空穴浓度p ，其D 0 0 10 3 14 3 中本征载流子浓度n 2×10 个/cm 。 （2）如果在 （1）中掺入N 5×10 个/cm 的受主， 那i A