0.13um-shrink工艺的嵌入式闪存的耐久性特性研究.pdfVIP

摘要 0.13um-shrink 工艺的嵌入式闪存的耐久性特性研究 摘 要 耐久性特性是存储类芯片最为重要的可靠性课题之一。0.13um-shrink 闪存器件因为其特殊的结构和工作模式，导致了特有的器件特性，同时还引入了其 他的可靠性问题。 本文综合了直流电压应力和 UV 方式，研究了三栅分栅闪存器件耐久性退化 机 理，实验验证了多晶到多晶的 F-N 电子隧穿擦除操作引起的隧穿氧化物束缚电子 是导致三栅分栅闪存器件退化的重要原因。基于器件耐久性退化机理，讲述了三栅分栅 闪存特殊的结构和操作方式。