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光电传感器特性实验报告 篇一： 光电传感器系列实验 东南大学 物理实验报告 姓名学号指导教师 日期报告成绩 实验名称光敏传感器的光电特性研究目录 实验一光敏电阻特性实验 实验二光敏二极管特性实验 一、实验目的： l 、了解光敏电阻的基本特性，测出它的伏安特性曲 线和光照特性曲线； 2、了解硅光电池的基本特性，测出它的伏安特性曲线 和光照特性曲线； 3 、了解硅光敏二极管的基本特性，测出它的伏安特性 和光照特性曲线； 4、了解硅光敏三极管的基本特性，测出它的伏安特性 和光照特性曲线。 二、实验原理： 光敏传感器是将光信号转换为电信号的传感器，也称 为光电式传感器，它可用千检测直接引起光强度变化的非 电量， 如光强、光照度、辐射测温、气体成分分析等；也 可用来检测能转换成光量变化的其它非电量，如零件直径、 表面粗糙度、 位移、速度、 加速度及物体形状、 工作状态 识别等。光敏传感器具有非接触、 响应快、 性能可靠等特 点， 因而在工业自动控制及智能机器人中得到广泛应用。 1 、光电效应 光敏传感器的物理基础是光电效应，在光辐射作用下 电子逸出材料的表面， 产生光电子发射称为外光电效应， 或光电子发射效应， 基千这种效应的光电器件有光电管、 光电倍增管等。电子并不逸出材料表面的则是内光电效应。 光电导效应、光生伏特效应则属千内光电效应。即半导体 材料的许多电学特性都因受到光的照射而发生变化。光电 效应通常分为外光电效应和内光电效应两大类，几乎大多 数光电控制应用的传感器都是此类，通常有光敏电阻、 光 敏二极管、光敏三极管、 硅光电池等。 (1) 光电导效应 若光照射到某些半导体材料上时， 透过到材料内部的 光子能量足够大，某些电子吸收光子的能量，从原来的束 缚态变成导电的自由态，这时在外电场的作用下，流过半 导体的电流会增大，即半导体的电导会增大，这种现象叫 光电导效应。它是一种内光电效应。 光电导效应可分为本 征型和杂质型两类。前者是指能量足够大的光子使电子离 开价带跃入导带，价带中由千电子离开而产生空穴，在外 电场作用下，电子和空穴参与电导，使电导增加。杂质型 光电导效应则是能量足够大的光子使施主能级中的电子或 受主能级中的空穴跃迁到导带或价带，从而使电导增加。 杂质型光电导的长波限比本 征型光电导的要长的多。 (2) 光生伏特效应 在无光照时，半导体PN 结内部自建电场。当光照射在 PN 结及其附近时， 在能量足够大的光子作用下，在结区及 其附近就产生少数载流子（电子、 空穴对）。载流子在结区 外时，靠扩散进入结区；在结区中时，则因电场E 的作用， 电子漂移到 N 区，空穴漂移到 P 区。结果使N 区带负电荷， P 区带正电荷， 产生附加电动势， 此电动势称为光生电动势， 此现象称为光生伏特效应。 2、光敏传感器的基本特性 本实验主要是研究光敏电阻、硅光电池、光敏二极管、 光敏三极管四种光敏传感器的基本特性。光敏传感器的基 本特性则包括： 伏安特性、光照特性等。其中光敏传感器 在一定的入射照度下，光敏元件的电流 I 与所加电压U 之 间的关系称为光敏器件的伏安特性。改变照度则可以得到 一族伏安特性曲线。它是传感器应用设计时选择电参数的 重要依据。光敏传感器的光谱灵敏度与入射光强之间的关 系称为光照特性，有时光敏传感器的输出电压或电流与入 射光强之间的关系也称为光照特性，它也是光敏传感器应 用设计时选择参数的重要依据之 一。掌握光敏传感器基本特性的测蜇方法，为合理应 用光敏