雪崩击穿和齐纳击穿的区别.pdf

雪崩击穿和齐纳击穿的区别 一、 雪崩击穿是在电场作用下，载流子能量增大，不断与晶体原 子相碰，使共价键中的电子激发形成自由电子 - 空穴对。新产生的载 流子又通过碰撞产生自由电子 - 空穴对，这就是倍增效应。 1 生 2 ，2 生 4，像雪崩一样增加载流子。 齐纳击穿完全不同， 在高的反向电压下， PN结中存在强电场， 它能够直接破坏！共价键将束缚电子分离来形成电子 - 空穴对，形成 大的反向电流。 齐纳击穿需要的电场强度很大， 只有在杂质浓度特别 大的 PN结才做得到。（杂质大电荷密度就大） 一般的二极管掺杂浓度没这么高， 它们的电击穿都是雪崩击 穿。齐纳击穿大多出现在特殊的二极管中，就是稳压二极管。 两种二极管都是工作在反向击穿区， 二者的区别在于耐受暂 态脉冲冲击能力和箝位电压水平等方面有所差异。 防雷设计中就是应 用两种二极管的伏安特性来抑制雷电过电压。 二、 雪崩击穿所需电压大！ 雪崩击穿是 PN 结反向电压增大到一数值时，载流子倍增就像 雪崩一样，增加得多而快。齐纳击穿完全不同，在高的反向电压下， PN 结中存在强电场，它能够直接破坏！共价键将束缚电子分离来形 成电子 -空穴对，形成大的反向电流。 齐纳击穿需要的电场强度很大！ 只有在杂质浓度特别大！！的 PN 结才做得到。（杂质大电荷密度就 大） PN 结反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿， 一般两种击穿同时存在， 但在电压低于 5 －6V 时的击穿以齐纳击穿为主，而电压高于 5 －6V 时的击穿以雪崩击穿为主。 两者的区别对于稳压管来说，主要是： 电压低于 5 －6V 的稳压管，齐纳击穿为主， 稳压值的温度系数为负。 电压高于 5 －6V 的稳压管，雪崩击穿为主， 稳压管的温度系数为正。