材料科学与工程基础作业讲评-8.pptVIP

* 4-43已知硅和锗在300 ℃的电阻率分别为2.3×103μΩ·m和0.46μΩ·m，试分别计算硅和锗在250℃的电导率。 4-43: ln? =C -[ E g /(2kT)], 或?=?0exp[-Eg/(2kT)] ln(?1/ ?2 )= -Eg/(2k)[1/T1-1/T2] , R=1/? 硅半导体 (Eg=1.2ev, k=8.62?10-5ev)： 250?C, ? =0.15?103(Ωm)-1 锗半导体 (Eg=0.67ev, k=8.62?10-5ev)： 250?C, ? =1.14?106(Ωm)-1 4-49 产生介电损耗的原因是什么？主要的影响因素有哪些？ 定义：电介质在交变电场作用下,电能转变成热能而损耗。或P357。 主要原因：漏电电流和极化电流损耗 主要影响因素： 　(1) 分子结构：极性大，tg? 大 ；基团数目 多 tg? 大 ； (2) 小分子及杂质；(3) 多相体系；　(4) 交变电场频率；　(5) 温度 英文书: 12.11 (a) Calculate the drift velocity of electrons in germanium at room temperature and when the magnitude of the e