电子线性电路第3章场效应管.pptxVIP

第 三 章;概 述; FET优点：输入电阻大（Ri107Ω～1012Ω）、噪音低、热稳定性好、抗辐射能力强、体积小、工艺简单，便于集成，因此应用广泛。 主要用于高输入阻抗放大器的输入级。;3.1 MOS场效应管;;MOS管外部工作条件:两个PN结反偏。N-EMOS管为：; 3.1.1 N沟道增强型（EMOS）管; (2)当VGS0时，VGS对沟道导电能力的控制作用。图(b);2、当VGSVGS(th)且一定时，VDS对沟道导电能力iD的影响。; VDS;3、若考虑沟道长度调制效应; MOS管仅依靠一种载流子（多子）导电，故称单极型器件。;;工作原理总结;3.1.3 EMOS场效应特性 ; NEMOS 管输出特性曲线;数学模型：; 饱和区;数学模型：;; 例 在下图所示N沟道EMOS管电路中，已知RG1＝1.2 M?，RG2＝0.8 M?，RS＝4 k?，RD＝10 k?，VDD＝20 V，管子参数为?CoxW/(2l)＝0.25 mA/V2，VGS(th)＝2 V，试求ID。 ;;　　由于 MOS 管 COX 很小，因此当带电物体(或人)靠近金属栅极时，感生电荷在 SiO2 绝缘层中将产生很大的电压 VGS(= Q /COX)，使绝缘层击穿，造成 MOS 管永久性损坏。; NEMOS 管转移特性曲线;亚阈区：vGS?VGS(th)时，iD不会突变到零，但其值很小(?A量级)。通常将VGS(th)附近的很小区域(VGS(th)?100mV)称为亚阈区或弱反型层区。一般应避免工作在此区域;衬底效应 ; P 沟道 EMOS 管;3.1.4　耗尽型 MOS 场效应管; NDMOS 管伏安特性;一、直流大信号简化电路模型(与三极管相对照) ;二、小信号模型 ;受控电流源;用戴维宁定理将电流源转换为电压源：;考虑衬底效应：;高频小信号模型：;2．非饱和区小信号模型 ;Ｎ沟道：衬底接最低电位， iD为电子电流， vDS0，vGS正向增加，iD增加； Ｐ沟道：衬底接最高电位，iD为空穴电流， vDS0，vGS负向增加，iD增加。 二者的大信号和小信号等效模型相同； 目前，MOS器件一般采用BSIM3V3模型描述，适用于计算机仿真，该模型已成为一种工业标准。;四种MOS管比较;39;40;41;42;;3.2 结型场效应管;3.2.1 工作原理;3.2.2 伏安特性曲线;转移特性曲线;3.3 场效应管应用原理;用有源电阻接成的分压器： ;3.3.2 MOS开关;MOS开关应用举例：开关电容电路;3.3.3 逻辑门电路;三、CMOS与非门 ;五、锁存器 ;器件部分小结; 了解：PN结的形成 二极管特点 单向导电性 掌握：PN结的特性 V-I 击穿 电容 温度 开关 二极管模型;三极管 了解：三极管结构 载流子传输 直流电流传输方程 掌握：三电流间的近似关系 三极管特点 正向受控作用 三极管模型 特性及其主要参数 应用及分析方法 基区宽度调制效应及影响;场效应管 了解：结构 工作原理 掌握：特性 夹断 预夹断概念 场效应管等效电路 与双极型晶体管的区别： 1）单极型导电 受外界影响小 2）栅流为零 高Ri 压控器件 3）小电流低电压为可控电阻 4）放大必须工作在饱和区 ;9、春去春又回，新桃换旧符。在那桃花盛开的地方，在这醉人芬芳的季节，愿你生活像春天一样阳光，心情像桃花一样美丽，日子像桃子一样甜蜜。8月-218月-21Wednesday, August 25, 2021 10、人的志向通常和他们的能力成正比例。13:29:2813:29:2813:298/25/2021 1:29:28 PM 11、夫学须志也，才须学也，非学无以广才，非志无以成学。8月-2113:29:2813:29Aug-2125-Aug-21 12、越是无能的人，越喜欢挑剔别人的错儿。13:29:2813:29:2813:29Wednesday, August 25, 2021 13、志不立，天下无可成之事。8月-218月-2113:29:2813:29:28August 25, 2021 14、Thank you very much for taking me with you on that splendid outing to London. It was the first time that I had seen the Tower or any of the other